Strona główna
Wyszukaj
Moduł analityczny
Kraj
Autor
Instytucja
Czasopismo
Helpdesk
Pomoc
API
Zbigniew Żytkiewicz
prof.
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
PBN-ID: 1265784
orcid.org/0000-0003-0240-9742
Zaloguj
Statystyka
Publikacje
Moduł Analityczny obejmuje jedynie prace już zarchiwizowane w Module Sprawozdawczym PBN.
Publikacje
49
49 od 2013
1 w tym roku
Typ publikacji
Ilość
Monografia
▰
0
Rozdział
▰
0
Artykuł (lista A)
▰
45
Artykuł (lista B)
▰
0
Artykuł (lista C)
▰
0
Artykuł spoza listy
▰
4
Przeglądaj publikacje
Dostęp do źródła
2%
prac wydanych w OpenAccess
DOI
▰
45
OpenAccess
▰
1
Link
▰
39
Wszystkie
47
Indeksowane materiały konferencyjne
100%
prac indeksowanych w Web of Science Core Collection
Indeksowane w Web of Science
3
Indeksowane w SCOPUS
0
Indeksowane (w jednej z baz)
3
Statystyki roczne
Pobierz w CSV
Rok
Ilość publikacji
Monografie
▰
Rozdziały
▰
Artykuły (listy A, B, C)
▰
WoS
OA
2013
8
0
0
8 (7, 0, 0)
0
0
2014
13
0
0
13 (13, 0, 0)
3
0
2015
9
0
0
9 (9, 0, 0)
0
0
2016
8
0
0
8 (6, 0, 0)
0
1
2017
4
0
0
4 (4, 0, 0)
0
0
2018
6
0
0
6 (6, 0, 0)
0
0
2019
1
0
0
1 (0, 0, 0)
0
0
Przetwarzanie...
XML
XLS
HTML
Temp
Autor
Autor
Autor
Redaktor
Tytuł
Tytuł
Źródło
Źródło/Numer ISXN
Rok publikacji
–
Typ
Artykuł
Książka
Rozdział
Monografia z rozdziałami
Filtruj
Sortowanie:
Tytuł
Tytuł
Rok
Rok
Najstarsza modyfikacja
Ostatnia modyfikacja
49 publikacji
p
p
1
2
3
p
p
20
50
100
Artykuł
PBN-AR
An influence of the local strain on cathodoluminescence of GaN/AlxGa1−xN nanowire structures
10.1063/1.4968004
Zmodyfikowano:
13/03/2017 12:22:40
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Bogdan Kowalski
Kamil Kłosek
Anna Reszka
Marta Maria Sobańska
Kamil Sobczak
Aleksandra Wierzbicka
Zbigniew Żytkiewicz
Agnieszka Teresa Pieniążek
+ 3
Źródło
Journal of Applied Physics
(segment A pozycja 5899, 35 pkt.)
Rok
2016
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:33:03
Artykuł
PBN-AR
Analysis of Incubation Times for the Self-Induced Formation of GaN Nanowires: Influence of the Substrate on the Nucleation Mechanism
10.1021/acs.cgd.6b01396
Zmodyfikowano:
13/03/2017 12:22:40
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 5)
Kamil Kłosek
Marta Maria Sobańska
Zbigniew Żytkiewicz
Giorgi Tchutchulashvili
+ 1
Źródło
CRYSTAL GROWTH & DESIGN
(segment A pozycja 2769, 40 pkt.)
Rok
2016
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:33:03
Artykuł
PBN-AR
Application of ZnO single crystals for light-induced water splitting under UV irradiation
10.1016/j.matchemphys.2013.11.031
Zmodyfikowano:
03/12/2016 02:33:39
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Katarzyna Izdebska
Bogdan Kowalski
Andrzej Mycielski
Anna Reszka
Paweł Skupiński
Michał Soszko
Andrzej Suchocki
Yuriy Suhak
Piotr Sybilski
Aleksandra Wierzbicka
+ 1
Źródło
Materials Chemistry and Physics
(segment A pozycja 8205, 35 pkt.)
Rok
2014
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-10-2016 11:07:25
Artykuł
PBN-AR
Arrangement of GaN nanowires grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy on silicon substrates with amorphous Al(2)O(3) buffers
10.1016/j.jcrysgro.2014.01.007
Zmodyfikowano:
21/02/2017 03:21:24
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 7)
Sylwia Aldona Gierałtowska
Kamil Kłosek
Marta Sobańska
Aleksandra Wierzbicka
Zbigniew Żytkiewicz
Giorgi Tchutchulashvili
Jolanta Borysiuk
Źródło
Journal of Crystal Growth
(segment A pozycja 6260, 30 pkt.)
Rok
2014
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-10-2016 11:07:28
Artykuł
PBN-AR
Arrangement of GaN nanowires on Si(001) substrates studied by X-ray diffraction: Importance of silicon nitride interlayer
10.1016/j.apsusc.2017.07.075
Zmodyfikowano:
20/07/2018 03:25:37
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Jarosław Domagała
Kamil Kłosek
Roman Minikayev
Marta Maria Sobańska
Aleksandra Wierzbicka
Zbigniew Żytkiewicz
Giorgi Tchutchulashvili
+ 1
Źródło
Applied Surface Science (35pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 984, 35 pkt.)
Rok
2017
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
02-10-2017 14:23:38
Artykuł
PBN-AR
Contactless electroreflectance studies of the Fermi level position at the air/GaN interface: Bistable nature of the Ga-polar surface
10.1016/j.apsusc.2016.12.013
Zmodyfikowano:
20/07/2018 03:24:49
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Łukasz Krzysztof Janicki
Marta Aleksandra Gładysiewicz-Kudrawiec
Jan Edward Misiewicz
Kamil Klosek
Marta Maria Sobańska
Paweł Kempisty
Zbigniew Żytkiewicz
Robert Henryk Kudrawiec
Źródło
Applied Surface Science (35pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 984, 35 pkt.)
Rok
2017
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
20-03-2018 14:50:03
Artykuł
PBN-AR
Contactless electroreflectance studies of the Fermi level position at the air/GaN interface: Bistable nature of the Ga-polar surface
10.1016/j.apsusc.2016.12.013
Zmodyfikowano:
20/07/2018 03:25:39
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Kamil Kłosek
Marta Maria Sobańska
Zbigniew Żytkiewicz
+ 5
Źródło
Applied Surface Science (35pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 984, 35 pkt.)
Rok
2017
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
12-05-2017 00:00:36
Artykuł
PBN-AR
Correlation between Crystallographic Alignment of Self-induced GaN Nanowires and Features of Si(111) Nitridation
Zmodyfikowano:
22/03/2017 14:15:55
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Kamil Kłosek
Marta Sobańska
Aleksandra Wierzbicka
Zbigniew Żytkiewicz
+ 4
Źródło
Proceedings of the International Conference Nanomaterials: Applications and Properties
Rok
2013
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:33:02
Artykuł
PBN-AR
Deep levels in GaN studied by deep level transient spectroscopy and Laplace transform deep-level spectroscopy
10.2478/s13536-013-0138-0
Zmodyfikowano:
03/12/2016 02:33:42
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 4)
Paulina Kamyczek
Ewa Placzek-Popko
Eunika Zielony
Zbigniew Żytkiewicz
Źródło
Materials Science-Poland
(segment A pozycja 8223, 15 pkt.)
Rok
2013
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-10-2016 11:07:28
Artykuł
PBN-AR
Deep traps in n-type GaN epilayers grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
10.1063/1.4861180
Zmodyfikowano:
13/03/2017 12:22:40
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 5)
Zbigniew Żytkiewicz
Z. Gumienny
P. Kamyczek
E. Placzek-Popko
E. Zielony
Źródło
Journal of Applied Physics
(segment A pozycja 5899, 35 pkt.)
Rok
2014
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-10-2016 11:07:28
Artykuł
PBN-AR
Dynamics of Stacking Faults Luminescence in GaN/Si Nanowires
10.1016/j.jlumin.2014.06.061
Zmodyfikowano:
23/03/2017 07:54:10
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 7)
Krzysztof Korona
Andrzej Wysmołek
Kamil Kłosek
Paulina Perkowska
Anna Reszka
Marta Sobańska
Zbigniew Żytkiewicz
Źródło
JOURNAL OF LUMINESCENCE
(segment A pozycja 6820, 35 pkt.)
Rok
2014
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Data archiwizacji
09-03-2017 09:41:17
Artykuł
PBN-AR
Dynamics of Stacking Faults Luminescence in GaN/Si Nanowires
10.1016/j.jlumin.2014.06.061
Zmodyfikowano:
19/04/2017 14:12:02
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 7)
Kamil Kłosek
Anna Reszka
Marta Sobańska
Zbigniew Żytkiewicz
Krzysztof Korona
Paulina Perkowska
Andrzej Wysmołek
Źródło
JOURNAL OF LUMINESCENCE
(segment A pozycja 6820, 35 pkt.)
Rok
2014
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-10-2016 11:07:25
Artykuł
PBN-AR
Electrical characterization of ensemble of GaN nanowires grown by the molecular beam epitaxy technique
10.1063/1.4819731
Zmodyfikowano:
03/12/2016 02:33:41
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 4)
Vl. Kolkovsky
Kamil Kłosek
Marta Sobańska
Zbigniew Żytkiewicz
Źródło
Applied Physics Letters
(segment A pozycja 966, 40 pkt.)
Rok
2013
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-10-2016 11:07:26
Artykuł
PBN-AR
Engineering of electric field distribution in GaN(cap)/AlGaN/GaN heterostructures: theoretical and experimental studies
10.1088/0022-3727/49/34/345106
Zmodyfikowano:
03/03/2017 03:22:46
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 7)
Kamil Kłosek
Marta Maria Sobańska
Zbigniew Żytkiewicz
+ 4
Źródło
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS
(segment A pozycja 7212, 35 pkt.)
Rok
2016
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:33:02
Artykuł
PBN-AR
Enhanced catalyst-free nucleation of GaN nanowires on amorphous Al2O3 by plasma-assisted molecular beam epitaxy
10.1063/1.4863456
Zmodyfikowano:
13/03/2017 12:22:39
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 7)
Sylwia Aldona Gierałtowska
Sławomir Kret
Kamil Kłosek
Marta Sobańska
Zbigniew Żytkiewicz
Giorgi Tchutchulasvili
Jolanta Borysiuk
Źródło
Journal of Applied Physics
(segment A pozycja 5899, 35 pkt.)
Rok
2014
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-10-2016 11:07:27
Artykuł
PBN-AR
Enhanced Raman scattering and weak localization in graphene deposited on GaN nanowires
10.1103/PhysRevB.92.195403
Zmodyfikowano:
06/03/2017 21:45:05
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Aleksandra Krajewska
Aneta Drabińska
Maria Kaminska
Piotr Kaźmierczak
Jakub Kierdaszuk
Krzysztof Korona
Krzysztof Pakuła
Iwona Pasternak
Agnieszka Wołoś
Andrzej Wysmołek
+ 1
Źródło
PHYSICAL REVIEW B
(segment A pozycja 9447, 35 pkt.)
Rok
2015
Instytucja
Instytut Optoelektroniki (Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego)
Data archiwizacji
06-03-2017 00:30:21
Artykuł
PBN-AR
Enhanced Raman scattering and weak localization in graphene deposited on GaN nanowires
10.1103/PhysRevB.92.195403
Zmodyfikowano:
02/10/2017 15:16:32
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Aneta Drabińska
Maria Kaminska
Krzysztof Korona
Krzysztof Pakuła
Andrzej Wysmołek
Piotr Kaźmierczak
Jakub Kierdaszuk
Aleksandra Krajewska
Iwona Pasternak
Agnieszka Wołoś
+ 1
Źródło
PHYSICAL REVIEW B
(segment A pozycja 9447, 35 pkt.)
Rok
2015
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Data archiwizacji
01-03-2017 01:04:58
Artykuł
PBN-AR
Enhanced Raman scattering and weak localization in graphene deposited on GaN nanowires
10.1103/PhysRevB.92.195403
Zmodyfikowano:
21/11/2016 18:02:00
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Aneta Drabińska
Maria Kaminska
Piotr Kaźmierczak
Jakub Kierdaszuk
Krzysztof Korona
Aleksandra Krajewska
Krzysztof Pakuła
Iwona Pasternak
Agnieszka Wołoś
Andrzej Wysmołek
+ 1
Źródło
PHYSICAL REVIEW B
(segment A pozycja 9447, 35 pkt.)
Rok
2015
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-10-2016 11:07:27
Artykuł
PBN-AR
Experimental and theoretical analysis of influence of barrier composition on optical properties of GaN/AlGaN multi-quantum wells: Temperature- and pressure-dependent photoluminescence studies
10.1016/j.jallcom.2018.08.050
Zmodyfikowano:
31/10/2019 03:37:45
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 13)
Aleksandra Wierzbicka
Eva Monroy
Stanislaw Krukowski
Kamil Sobczak
Rafał Jakieła
Paweł Strąk
Kamil Kłosek
Jolanta Borysiuk
Ewa Grzanka
Marta Sobańska
+ 3
Źródło
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS (35pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 5833, 35 pkt.)
Rok
2018
Instytucja
Wydział Chemii (Uniwersytet Warszawski)
Data archiwizacji
04-02-2019 12:41:42
Artykuł
PBN-AR
Experimental and theoretical analysis of influence of barrier composition on optical properties of GaN/AlGaN multi-quantum wells: Temperature- and pressure-dependent photoluminescence studies
10.1016/j.jallcom.2018.08.050
Zmodyfikowano:
08/11/2018 12:32:48
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 13)
Kamil Władysław Koroński
Paweł Strąk
Aleksandra Wierzbicka
Ewa Grzanka
Jolanta Agnieszka Borysiuk
Kamil Sobczak
Rafał Jakiela
Marta Maria Sobańska
Kamil Klosek
Eva Monroy
+ 3
Źródło
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS (35pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 5833, 35 pkt.)
Rok
2018
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
08-11-2018 12:32:48
49 publikacji
p
p
1
2
3
p
p
20
50
100