PBN - Polska Bibliografia Naukowa

Statystyka
Publikacje

Moduł Analityczny obejmuje jedynie prace już zarchiwizowane w Module Sprawozdawczym PBN.

Publikacje

34 od 2013
0 w tym roku

Typ publikacji	Ilość
Monografia ▰	0
Rozdział ▰	0
Artykuł (lista A) ▰	31
Artykuł (lista B) ▰	1
Artykuł (lista C) ▰	0
Artykuł spoza listy ▰	2

Przeglądaj publikacje

Dostęp do źródła

prac wydanych w OpenAccess

DOI▰	34
OpenAccess▰	1
Link▰	27
Wszystkie	34

Indeksowane materiały konferencyjne

100%

prac indeksowanych w Web of Science Core Collection

Indeksowane w Web of Science	2
Indeksowane w SCOPUS	2
Indeksowane (w jednej z baz)	2

Statystyki roczne

Rok	Ilość publikacji	Artykuły (listy A, B, C)▰	WoS	OA
2013	4	4 (4, 0, 0)	0	0
2014	4	4 (3, 1, 0)	0	0
2015	8	8 (7, 0, 0)	1	0
2016	6	6 (5, 0, 0)	1	0
2017	8	8 (8, 0, 0)	0	1
2018	4	4 (4, 0, 0)	0	0

Przetwarzanie...

Autor

Redaktor

Tytuł

Źródło

Źródło/Numer ISXN

Rok publikacji

–

Typ

Artykuł

Książka

Rozdział

Monografia z rozdziałami

Filtruj

Sortowanie:

Tytuł

Rok

Najstarsza modyfikacja

Ostatnia modyfikacja


Artykuł PBN-AR Ab initio and experimental studies of polarization and polarization related fields in nitrides and nitride structures 10.1063/1.4974249 Zmodyfikowano: 20/07/2018 03:24:50 przez: Autorzy (liczba autorów: 12) Paweł Strąk Paweł Kempisty Konrad Sakowski Agata Kamińska Dawid Jan Jankowski Krzysztof Piotr Korona Kamil Sobczak Jolanta Agnieszka Borysiuk Mark Beeler Ewa Grzanka + 2 Źródło AIP Advances (25pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 443, 25 pkt.) Rok 2017 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 20-03-2018 14:50:01
Artykuł PBN-AR Ab initio and experimental studies of polarization and polarization related fields in nitrides and nitride structures 10.1063/1.4974249 Zmodyfikowano: 20/07/2018 03:42:50 przez: Autorzy (liczba autorów: 12) Agata Kamińska Mark Beeler Jolanta Borysiuk Ewa Grzanka Dawid Jankowski Paweł Kempisty Krzysztof P. Korona Stanislaw Krukowski Eva Monroy Konrad Sakowski + 2 Źródło AIP Advances (25pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 443, 25 pkt.) Rok 2017 Instytucja Wydział Matematyczno-Przyrodniczy.Szkoła Nauk Ścisłych (Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie) Data archiwizacji 22-02-2018 08:49:21
Artykuł PBN-AR Ab initio and experimental studies of polarization and polarization related fields in nitrides and nitride structures 10.1063/1.4974249 Zmodyfikowano: 20/07/2018 03:51:38 przez: Autorzy (liczba autorów: 12) Krzysztof P. Korona Mark Beeler Jolanta Borysiuk Ewa Grzanka Dawid Jankowski Agata Kamińska Paweł Kempisty Stanislaw Krukowski Eva Monroy Konrad Sakowski + 2 Źródło AIP Advances (25pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 443, 25 pkt.) Rok 2017 Instytucja Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski) Data archiwizacji 27-02-2018 12:31:17
Artykuł PBN-AR Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy 10.1002/pssb.201600710 Zmodyfikowano: 20/07/2018 03:24:49 przez: Autorzy (liczba autorów: 12) Grzegorz Staszczak Izabela Gorczyca Ewa Grzanka Julita Wiktoria Smalc-Koziorowska Grzegorz Targowski Robert Czernecki Marcin Siekacz Szymon Grzanka Czesław Skierbiszewski T. Schulz + 2 Źródło PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 9435, 20 pkt.) Rok 2017 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 20-03-2018 14:50:04
Artykuł PBN-AR Correlation of optical and structural properties of GaN/AlN multi-quantum wells - Ab initio and experimental study 10.1063/1.4939595 Zmodyfikowano: 07/04/2017 14:34:45 przez: Autorzy (liczba autorów: 10) Ewa Grzanka Stanisław Krukowski Konrad Sakowski Paweł Strąk Mark Beeler Jolanta Agnieszka Borysiuk Jarosław Domagała Agata Kamińska Eva Monroy Kamil Sobczak Źródło Journal of Applied Physics (segment A pozycja 5899, 35 pkt.) Rok 2016 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 15-03-2017 00:30:14
Artykuł PBN-AR Effect of hydrogen during growth of quantum barriers on the properties of InGaN quantum wells 10.1016/j.jcrysgro.2014.09.037 Zmodyfikowano: 13/03/2017 12:22:08 przez: Autorzy (liczba autorów: 11) Robert Czernecki Ewa Grzanka Szymon Grzanka Michał Leszczyński Piotr Perlin Paweł Prystawko Dario Schiavon Julita Wiktoria Smalc-Koziorowska Jerzy Plesiewicz Tadeusz Suski + 1 Źródło Journal of Crystal Growth (segment A pozycja 6260, 30 pkt.) Rok 2015 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 01-03-2017 00:32:43
Artykuł PBN-AR Electrical and structural properties of Ti/Al-based contacts on AlGaN/GaN heterostructures with different quality 10.1002/pssa.201431636 Zmodyfikowano: 04/03/2017 03:20:54 przez: Autorzy (liczba autorów: 14) Ewa Grzanka Piotr Kruszewski Marcin Kryśko Michał Leszczyński Paweł Prystawko Corrado Bongiorno Guglielmo Guido Condorelli Salvatore Di Franco Filippo Giannazzo Giuseppe Greco + 4 Źródło Physica Status Solidi A (segment A pozycja 9434, 25 pkt.) Rok 2015 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 01-03-2017 00:32:44
Artykuł PBN-AR Elimination of trench defects and V-pits form InGaN/GaN structures 10.1063/1.4914940 Zmodyfikowano: 03/03/2017 03:22:32 przez: Autorzy (liczba autorów: 5) Robert Czernecki Ewa Grzanka Michał Leszczyński Dario Schiavon Julita Wiktoria Smalc-Koziorowska Źródło Applied Physics Letters (segment A pozycja 966, 40 pkt.) Rok 2015 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 01-03-2017 00:32:43
Artykuł PBN-AR Enhancement of optical confinement factor by InGaN waveguide in blue laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy 10.7567/APEX.8.032103 Zmodyfikowano: 04/03/2017 03:20:55 przez: Autorzy (liczba autorów: 8) Ewa Grzanka Szymon Grzanka Grzegorz Muzioł Piotr Perlin Marcin Siekacz Czesław Skierbiszewski Henryk Turski Paweł Wolny Źródło Applied Physics Express (segment A pozycja 965, 35 pkt.) Rok 2015 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 01-03-2017 00:32:43
Artykuł PBN-AR Experimental and theoretical analysis of influence of barrier composition on optical properties of GaN/AlGaN multi-quantum wells: Temperature- and pressure-dependent photoluminescence studies 10.1016/j.jallcom.2018.08.050 Zmodyfikowano: 31/10/2019 03:37:45 przez: Autorzy (liczba autorów: 13) Aleksandra Wierzbicka Eva Monroy Stanislaw Krukowski Kamil Sobczak Rafał Jakieła Paweł Strąk Kamil Kłosek Jolanta Borysiuk Ewa Grzanka Marta Sobańska + 3 Źródło JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS (35pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 5833, 35 pkt.) Rok 2018 Instytucja Wydział Chemii (Uniwersytet Warszawski) Data archiwizacji 04-02-2019 12:41:42
Artykuł PBN-AR Experimental and theoretical analysis of influence of barrier composition on optical properties of GaN/AlGaN multi-quantum wells: Temperature- and pressure-dependent photoluminescence studies 10.1016/j.jallcom.2018.08.050 Zmodyfikowano: 08/11/2018 12:32:48 przez: Autorzy (liczba autorów: 13) Kamil Władysław Koroński Paweł Strąk Aleksandra Wierzbicka Ewa Grzanka Jolanta Agnieszka Borysiuk Kamil Sobczak Rafał Jakiela Marta Maria Sobańska Kamil Klosek Eva Monroy + 3 Źródło JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS (35pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 5833, 35 pkt.) Rok 2018 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 08-11-2018 12:32:48
Artykuł PBN-AR Experimental and theoretical analysis of influence of barrier composition on optical properties of GaN/AlGaN multi-quantum wells: Temperature- and pressure-dependent photoluminescence studies 10.1016/j.jallcom.2018.08.050 Zmodyfikowano: 31/01/2019 09:07:26 przez: Autorzy (liczba autorów: 13) Aleksandra Wierzbicka Eva Monroy Stanislaw Krukowski Kamil Koronski Kamil Sobczak Rafał Jakieła Paweł Strąk Kamil Kłosek Jolanta Borysiuk Ewa Grzanka + 3 Źródło JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS (35pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 5833, 35 pkt.) Rok 2018 Instytucja Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski) Data archiwizacji 31-01-2019 09:07:26
Artykuł PBN-AR Graded-index separate confinement heterostructure InGaN laser diodes 10.1063/1.4857695 Zmodyfikowano: 07/04/2017 03:21:07 przez: Autorzy (liczba autorów: 13) Ewa Grzanka Szymon Grzanka Michał Leszczyński Piotr Perlin Szymon Stańczyk Tadeusz Suski Agata Marta Bojarska Jakub Goss Anna Kafar Robert Czernecki + 3 Źródło Applied Physics Letters (segment A pozycja 966, 40 pkt.) Rok 2013 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 07-04-2017 00:00:27
Artykuł PBN-AR High power nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy 10.1016/j.jcrysgro.2015.02.067 Zmodyfikowano: 07/04/2017 16:36:37 przez: Autorzy (liczba autorów: 14) Anna Feduniewicz-Żmuda Ewa Grzanka Szymon Grzanka Grzegorz Muzioł Piotr Perlin Marcin Siekacz Czesław Skierbiszewski Henryk Turski Paweł Wolny Jolanta Borysiuk + 4 Źródło Journal of Crystal Growth (segment A pozycja 6260, 30 pkt.) Rok 2015 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 01-03-2017 00:32:43
Artykuł PBN-AR High pressure and time resolved studies of optical properties of n-type doped GaN/AlN multi-quantum wells - experimental and theoretical analysis 10.1063/1.4962282 Zmodyfikowano: 13/03/2017 13:04:09 przez: Autorzy (liczba autorów: 11) Krzysztof Korona M. Beeler Jolanta Borysiuk Ewa Grzanka Dawid Jankowski Agata Kamińska Stanisław Krukowski E. Monroy Konrad Sakowski Kamil Sobczak + 1 Źródło Journal of Applied Physics (segment A pozycja 5899, 35 pkt.) Rok 2016 Instytucja Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski) Data archiwizacji 01-03-2017 01:05:02
Artykuł PBN-AR High pressure and time resolved studies of optical properties of n-type doped GaN/AlN multi-quantum wells: Experimental and theoretical analysis 10.1063/1.4962282 Zmodyfikowano: 15/03/2017 03:20:46 przez: Autorzy (liczba autorów: 11) Ewa Grzanka Stanisław Krukowski Konrad Sakowski Paweł Strąk M. Beeler Jolanta Agnieszka Borysiuk Dawid Jan Jankowski Agata Kamińska Krzysztof Piotr Korona E. Monroy + 1 Źródło Journal of Applied Physics (segment A pozycja 5899, 35 pkt.) Rok 2016 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 15-03-2017 00:30:14
Artykuł PBN-AR Homoepitaxial HVPE GaN growth on non- and semi-polar seeds 10.1117/12.2077929 Zmodyfikowano: 03/03/2017 04:07:49 przez: Autorzy (liczba autorów: 11) Mikołaj Amilusik Michał Boćkowski Michał Fijałkowski Ewa Grzanka Izabella Grzegory Małgorzata Iwińska Alexander Khachapuridze Tomasz Sochacki Jan Weyher Bolesław Łucznik + 1 Źródło Proceedings of SPIE Rok 2015 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 01-03-2017 00:32:44
Artykuł PBN-AR HVPE-GaN growth on GaN-based advanced substrates by Smart CutTM 10.1117/12.2208854 Zmodyfikowano: 16/01/2019 05:20:25 przez: Autorzy (liczba autorów: 14) Małgorzata Iwińska Mikołaj Amilusik Michał Fijałkowski Tomasz Sochacki Bolesław Łucznik Ewa Grzanka Elżbieta Litwin-Staszewska Izabella Alicja Grzegory Michał Boćkowski + 5 Źródło PROCEEDINGS OF SPIE Rok 2016 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 25-03-2017 00:00:25
Artykuł PBN-AR HVPE-GaN growth on GaN-based advanced substrates by Smart Cut™ 10.1016/j.jcrysgro.2016.06.052 Zmodyfikowano: 16/01/2019 05:20:24 przez: Autorzy (liczba autorów: 15) Mikołaj Amilusik Michał Boćkowski Michał Fijałkowski Ewa Grzanka Izabella Alicja Grzegory Małgorzata Iwińska Elżbieta Litwin-Staszewska Grzegorz Muzioł Czesław Skierbiszewski Tomasz Sochacki + 5 Źródło Journal of Crystal Growth (segment A pozycja 6260, 30 pkt.) Rok 2016 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 16-03-2017 00:30:18
Artykuł PBN-AR Influence of GaN substrate crystallographic quality on the intensity of AlGaN epitaxial layer X-ray diffraction peaks 10.1002/crat.201500051 Zmodyfikowano: 07/04/2017 16:35:13 przez: Autorzy (liczba autorów: 4) Ewa Grzanka Marcin Kryśko Michał Leszczyński Jarosław Domagała Źródło Crystal Research and Technology (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2015 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 01-03-2017 00:32:42