Strona główna
Wyszukaj
Moduł analityczny
Kraj
Autor
Instytucja
Czasopismo
Helpdesk
Pomoc
API
Ewa Grzanka
mgr
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
PBN-ID: 3995998
Zaloguj
Statystyka
Publikacje
Moduł Analityczny obejmuje jedynie prace już zarchiwizowane w Module Sprawozdawczym PBN.
Publikacje
34
34 od 2013
0 w tym roku
Typ publikacji
Ilość
Monografia
▰
0
Rozdział
▰
0
Artykuł (lista A)
▰
31
Artykuł (lista B)
▰
1
Artykuł (lista C)
▰
0
Artykuł spoza listy
▰
2
Przeglądaj publikacje
Dostęp do źródła
2%
prac wydanych w OpenAccess
DOI
▰
34
OpenAccess
▰
1
Link
▰
27
Wszystkie
34
Indeksowane materiały konferencyjne
100%
prac indeksowanych w Web of Science Core Collection
Indeksowane w Web of Science
2
Indeksowane w SCOPUS
2
Indeksowane (w jednej z baz)
2
Statystyki roczne
Pobierz w CSV
Rok
Ilość publikacji
Monografie
▰
Rozdziały
▰
Artykuły (listy A, B, C)
▰
WoS
OA
2013
4
0
0
4 (4, 0, 0)
0
0
2014
4
0
0
4 (3, 1, 0)
0
0
2015
8
0
0
8 (7, 0, 0)
1
0
2016
6
0
0
6 (5, 0, 0)
1
0
2017
8
0
0
8 (8, 0, 0)
0
1
2018
4
0
0
4 (4, 0, 0)
0
0
Przetwarzanie...
XML
XLS
HTML
Temp
Autor
Autor
Autor
Redaktor
Tytuł
Tytuł
Źródło
Źródło/Numer ISXN
Rok publikacji
–
Typ
Artykuł
Książka
Rozdział
Monografia z rozdziałami
Filtruj
Sortowanie:
Tytuł
Tytuł
Rok
Rok
Najstarsza modyfikacja
Ostatnia modyfikacja
34 publikacji
p
p
1
2
p
p
20
50
100
Artykuł
PBN-AR
Ab initio and experimental studies of polarization and polarization related fields in nitrides and nitride structures
10.1063/1.4974249
Zmodyfikowano:
20/07/2018 03:24:50
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 12)
Paweł Strąk
Paweł Kempisty
Konrad Sakowski
Agata Kamińska
Dawid Jan Jankowski
Krzysztof Piotr Korona
Kamil Sobczak
Jolanta Agnieszka Borysiuk
Mark Beeler
Ewa Grzanka
+ 2
Źródło
AIP Advances (25pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 443, 25 pkt.)
Rok
2017
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
20-03-2018 14:50:01
Artykuł
PBN-AR
Ab initio and experimental studies of polarization and polarization related fields in nitrides and nitride structures
10.1063/1.4974249
Zmodyfikowano:
20/07/2018 03:42:50
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 12)
Agata Kamińska
Mark Beeler
Jolanta Borysiuk
Ewa Grzanka
Dawid Jankowski
Paweł Kempisty
Krzysztof P. Korona
Stanislaw Krukowski
Eva Monroy
Konrad Sakowski
+ 2
Źródło
AIP Advances (25pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 443, 25 pkt.)
Rok
2017
Instytucja
Wydział Matematyczno-Przyrodniczy.Szkoła Nauk Ścisłych (Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie)
Data archiwizacji
22-02-2018 08:49:21
Artykuł
PBN-AR
Ab initio and experimental studies of polarization and polarization related fields in nitrides and nitride structures
10.1063/1.4974249
Zmodyfikowano:
20/07/2018 03:51:38
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 12)
Krzysztof P. Korona
Mark Beeler
Jolanta Borysiuk
Ewa Grzanka
Dawid Jankowski
Agata Kamińska
Paweł Kempisty
Stanislaw Krukowski
Eva Monroy
Konrad Sakowski
+ 2
Źródło
AIP Advances (25pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 443, 25 pkt.)
Rok
2017
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Data archiwizacji
27-02-2018 12:31:17
Artykuł
PBN-AR
Bandgap behavior of InGaN/GaN short period superlattices grown by metal-organic vapor phase epitaxy
10.1002/pssb.201600710
Zmodyfikowano:
20/07/2018 03:24:49
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 12)
Grzegorz Staszczak
Izabela Gorczyca
Ewa Grzanka
Julita Wiktoria Smalc-Koziorowska
Grzegorz Targowski
Robert Czernecki
Marcin Siekacz
Szymon Grzanka
Czesław Skierbiszewski
T. Schulz
+ 2
Źródło
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS (20pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 9435, 20 pkt.)
Rok
2017
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
20-03-2018 14:50:04
Artykuł
PBN-AR
Correlation of optical and structural properties of GaN/AlN multi-quantum wells - Ab initio and experimental study
10.1063/1.4939595
Zmodyfikowano:
07/04/2017 14:34:45
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 10)
Ewa Grzanka
Stanisław Krukowski
Konrad Sakowski
Paweł Strąk
Mark Beeler
Jolanta Agnieszka Borysiuk
Jarosław Domagała
Agata Kamińska
Eva Monroy
Kamil Sobczak
Źródło
Journal of Applied Physics
(segment A pozycja 5899, 35 pkt.)
Rok
2016
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
15-03-2017 00:30:14
Artykuł
PBN-AR
Effect of hydrogen during growth of quantum barriers on the properties of InGaN quantum wells
10.1016/j.jcrysgro.2014.09.037
Zmodyfikowano:
13/03/2017 12:22:08
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Robert Czernecki
Ewa Grzanka
Szymon Grzanka
Michał Leszczyński
Piotr Perlin
Paweł Prystawko
Dario Schiavon
Julita Wiktoria Smalc-Koziorowska
Jerzy Plesiewicz
Tadeusz Suski
+ 1
Źródło
Journal of Crystal Growth
(segment A pozycja 6260, 30 pkt.)
Rok
2015
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:32:43
Artykuł
PBN-AR
Electrical and structural properties of Ti/Al-based contacts on AlGaN/GaN heterostructures with different quality
10.1002/pssa.201431636
Zmodyfikowano:
04/03/2017 03:20:54
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 14)
Ewa Grzanka
Piotr Kruszewski
Marcin Kryśko
Michał Leszczyński
Paweł Prystawko
Corrado Bongiorno
Guglielmo Guido Condorelli
Salvatore Di Franco
Filippo Giannazzo
Giuseppe Greco
+ 4
Źródło
Physica Status Solidi A
(segment A pozycja 9434, 25 pkt.)
Rok
2015
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:32:44
Artykuł
PBN-AR
Elimination of trench defects and V-pits form InGaN/GaN structures
10.1063/1.4914940
Zmodyfikowano:
03/03/2017 03:22:32
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 5)
Robert Czernecki
Ewa Grzanka
Michał Leszczyński
Dario Schiavon
Julita Wiktoria Smalc-Koziorowska
Źródło
Applied Physics Letters
(segment A pozycja 966, 40 pkt.)
Rok
2015
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:32:43
Artykuł
PBN-AR
Enhancement of optical confinement factor by InGaN waveguide in blue laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
10.7567/APEX.8.032103
Zmodyfikowano:
04/03/2017 03:20:55
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Ewa Grzanka
Szymon Grzanka
Grzegorz Muzioł
Piotr Perlin
Marcin Siekacz
Czesław Skierbiszewski
Henryk Turski
Paweł Wolny
Źródło
Applied Physics Express
(segment A pozycja 965, 35 pkt.)
Rok
2015
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:32:43
Artykuł
PBN-AR
Experimental and theoretical analysis of influence of barrier composition on optical properties of GaN/AlGaN multi-quantum wells: Temperature- and pressure-dependent photoluminescence studies
10.1016/j.jallcom.2018.08.050
Zmodyfikowano:
31/10/2019 03:37:45
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 13)
Aleksandra Wierzbicka
Eva Monroy
Stanislaw Krukowski
Kamil Sobczak
Rafał Jakieła
Paweł Strąk
Kamil Kłosek
Jolanta Borysiuk
Ewa Grzanka
Marta Sobańska
+ 3
Źródło
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS (35pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 5833, 35 pkt.)
Rok
2018
Instytucja
Wydział Chemii (Uniwersytet Warszawski)
Data archiwizacji
04-02-2019 12:41:42
Artykuł
PBN-AR
Experimental and theoretical analysis of influence of barrier composition on optical properties of GaN/AlGaN multi-quantum wells: Temperature- and pressure-dependent photoluminescence studies
10.1016/j.jallcom.2018.08.050
Zmodyfikowano:
08/11/2018 12:32:48
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 13)
Kamil Władysław Koroński
Paweł Strąk
Aleksandra Wierzbicka
Ewa Grzanka
Jolanta Agnieszka Borysiuk
Kamil Sobczak
Rafał Jakiela
Marta Maria Sobańska
Kamil Klosek
Eva Monroy
+ 3
Źródło
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS (35pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 5833, 35 pkt.)
Rok
2018
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
08-11-2018 12:32:48
Artykuł
PBN-AR
Experimental and theoretical analysis of influence of barrier composition on optical properties of GaN/AlGaN multi-quantum wells: Temperature- and pressure-dependent photoluminescence studies
10.1016/j.jallcom.2018.08.050
Zmodyfikowano:
31/01/2019 09:07:26
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 13)
Aleksandra Wierzbicka
Eva Monroy
Stanislaw Krukowski
Kamil Koronski
Kamil Sobczak
Rafał Jakieła
Paweł Strąk
Kamil Kłosek
Jolanta Borysiuk
Ewa Grzanka
+ 3
Źródło
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS (35pkt w roku publikacji)
(segment A pozycja 5833, 35 pkt.)
Rok
2018
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Data archiwizacji
31-01-2019 09:07:26
Artykuł
PBN-AR
Graded-index separate confinement heterostructure InGaN laser diodes
10.1063/1.4857695
Zmodyfikowano:
07/04/2017 03:21:07
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 13)
Ewa Grzanka
Szymon Grzanka
Michał Leszczyński
Piotr Perlin
Szymon Stańczyk
Tadeusz Suski
Agata Marta Bojarska
Jakub Goss
Anna Kafar
Robert Czernecki
+ 3
Źródło
Applied Physics Letters
(segment A pozycja 966, 40 pkt.)
Rok
2013
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
07-04-2017 00:00:27
Artykuł
PBN-AR
High power nitride laser diodes grown by plasma assisted molecular beam epitaxy
10.1016/j.jcrysgro.2015.02.067
Zmodyfikowano:
07/04/2017 16:36:37
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 14)
Anna Feduniewicz-Żmuda
Ewa Grzanka
Szymon Grzanka
Grzegorz Muzioł
Piotr Perlin
Marcin Siekacz
Czesław Skierbiszewski
Henryk Turski
Paweł Wolny
Jolanta Borysiuk
+ 4
Źródło
Journal of Crystal Growth
(segment A pozycja 6260, 30 pkt.)
Rok
2015
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:32:43
Artykuł
PBN-AR
High pressure and time resolved studies of optical properties of n-type doped GaN/AlN multi-quantum wells - experimental and theoretical analysis
10.1063/1.4962282
Zmodyfikowano:
13/03/2017 13:04:09
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Krzysztof Korona
M. Beeler
Jolanta Borysiuk
Ewa Grzanka
Dawid Jankowski
Agata Kamińska
Stanisław Krukowski
E. Monroy
Konrad Sakowski
Kamil Sobczak
+ 1
Źródło
Journal of Applied Physics
(segment A pozycja 5899, 35 pkt.)
Rok
2016
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Data archiwizacji
01-03-2017 01:05:02
Artykuł
PBN-AR
High pressure and time resolved studies of optical properties of n-type doped GaN/AlN multi-quantum wells: Experimental and theoretical analysis
10.1063/1.4962282
Zmodyfikowano:
15/03/2017 03:20:46
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Ewa Grzanka
Stanisław Krukowski
Konrad Sakowski
Paweł Strąk
M. Beeler
Jolanta Agnieszka Borysiuk
Dawid Jan Jankowski
Agata Kamińska
Krzysztof Piotr Korona
E. Monroy
+ 1
Źródło
Journal of Applied Physics
(segment A pozycja 5899, 35 pkt.)
Rok
2016
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
15-03-2017 00:30:14
Artykuł
PBN-AR
Homoepitaxial HVPE GaN growth on non- and semi-polar seeds
10.1117/12.2077929
Zmodyfikowano:
03/03/2017 04:07:49
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 11)
Mikołaj Amilusik
Michał Boćkowski
Michał Fijałkowski
Ewa Grzanka
Izabella Grzegory
Małgorzata Iwińska
Alexander Khachapuridze
Tomasz Sochacki
Jan Weyher
Bolesław Łucznik
+ 1
Źródło
Proceedings of SPIE
Rok
2015
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:32:44
Artykuł
PBN-AR
HVPE-GaN growth on GaN-based advanced substrates by Smart CutTM
10.1117/12.2208854
Zmodyfikowano:
16/01/2019 05:20:25
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 14)
Małgorzata Iwińska
Mikołaj Amilusik
Michał Fijałkowski
Tomasz Sochacki
Bolesław Łucznik
Ewa Grzanka
Elżbieta Litwin-Staszewska
Izabella Alicja Grzegory
Michał Boćkowski
+ 5
Źródło
PROCEEDINGS OF SPIE
Rok
2016
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
25-03-2017 00:00:25
Artykuł
PBN-AR
HVPE-GaN growth on GaN-based advanced substrates by Smart Cut™
10.1016/j.jcrysgro.2016.06.052
Zmodyfikowano:
16/01/2019 05:20:24
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 15)
Mikołaj Amilusik
Michał Boćkowski
Michał Fijałkowski
Ewa Grzanka
Izabella Alicja Grzegory
Małgorzata Iwińska
Elżbieta Litwin-Staszewska
Grzegorz Muzioł
Czesław Skierbiszewski
Tomasz Sochacki
+ 5
Źródło
Journal of Crystal Growth
(segment A pozycja 6260, 30 pkt.)
Rok
2016
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
16-03-2017 00:30:18
Artykuł
PBN-AR
Influence of GaN substrate crystallographic quality on the intensity of AlGaN epitaxial layer X-ray diffraction peaks
10.1002/crat.201500051
Zmodyfikowano:
07/04/2017 16:35:13
przez:
Autorzy
(liczba autorów: 4)
Ewa Grzanka
Marcin Kryśko
Michał Leszczyński
Jarosław Domagała
Źródło
Crystal Research and Technology
(segment A pozycja 2770, 20 pkt.)
Rok
2015
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Data archiwizacji
01-03-2017 00:32:42
34 publikacji
p
p
1
2
p
p
20
50
100