PBN - Polska Bibliografia Naukowa

Statystyka
Publikacje

Moduł Analityczny obejmuje jedynie prace już zarchiwizowane w Module Sprawozdawczym PBN.

Publikacje

20 od 2013
0 w tym roku

Przeglądaj publikacje

Punktacja ministerialna

na liście czteroletniej

Punkty na listach rocznych ▰ Punkty na liście czteroletniej ▰

Przetwarzanie...

Autor

Redaktor

Tytuł

Źródło

Źródło/Numer ISXN

Rok publikacji

–

Typ

Artykuł

Książka

Rozdział

Monografia z rozdziałami

Filtruj

Sortowanie:

Tytuł

Rok

Najstarsza modyfikacja

Ostatnia modyfikacja


Artykuł PBN-AR Antisolvent crystallization of aqueous ammonium dihydrogen phosphate solutions by addition of acetone at different rates 10.1002/crat.201600071 Zmodyfikowano: 03/03/2017 03:27:09 przez: Autorzy (liczba autorów: 2) Ewa Mielniczek-Brzóska + 1 Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2016 Instytucja Wydział Matematyczno-Przyrodniczy (Uniwersytet Humanistyczno-Przyrodniczy im. Jana Długosza w Częstochowie) Data archiwizacji 01-03-2017 00:37:56
Artykuł PBN-AR Antisolvent crystallization of aqueous ammonium dihydrogen phosphate solutions by addition of acetone at different rates 10.1002/crat.201600071 Zmodyfikowano: 23/03/2017 03:25:07 przez: Autorzy (liczba autorów: 2) Keshra Sangwal + 1 Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2016 Instytucja Wydział Mechaniczny (Politechnika Lubelska) Data archiwizacji 22-03-2017 00:01:40
Artykuł PBN-AR Characterization of raw materials and self-organized Bi2O3-Ag eutectic by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy 10.1002/crat.201700044 Zmodyfikowano: 20/07/2018 03:44:24 przez: Autorzy (liczba autorów: 7) Magdalena Szubka Ewa Talik Paweł Łukasz Zajdel Adam Jarosław Guzik + 3 Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2017 Instytucja Wydział Matematyki, Fizyki i Chemii (Uniwersytet Śląski w Katowicach) Data archiwizacji 27-11-2017 14:42:06
Artykuł PBN-AR Characterization of raw materials and self-organized Bi2O3-Ag eutectic by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy 10.1002/crat.201700044 Zmodyfikowano: 01/08/2018 03:20:57 przez: Autorzy (liczba autorów: 6) Katarzyna Sadecka Dorota Pawlak + 4 Źródło Crystal Research and Technology (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2017 Instytucja Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Data archiwizacji 30-07-2018 13:56:38
Artykuł PBN-AR Characterization of raw materials and self-organized Bi2O3–Ag eutectic by X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and X-ray photoelectron spectroscopy 10.1002/crat.201700044 Zmodyfikowano: 20/07/2018 03:50:44 przez: Autorzy (liczba autorów: 6) Dorota Anna Pawlak + 5 Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2017 Instytucja Centrum Nowych Technologii UW (Uniwersytet Warszawski) Data archiwizacji 01-03-2018 07:33:58
Artykuł PBN-AR Cross-sectional scanning capacitance microscopy characterization of GaAs based solar cell structures 10.1002/crat.201700019 Zmodyfikowano: 20/07/2018 03:36:50 przez: Autorzy (liczba autorów: 6) Wojciech Artur Dawidowski Joanna Prażmowska-Czajka Andrzej Paweł Stafiniak Adam Roman Szyszka Marek Jerzy Tłaczała Beata Violetta Ściana Źródło Crystal Research and Technology (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2017 Instytucja Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska) Data archiwizacji 02-10-2017 14:39:20
Artykuł PBN-AR Crystal structures of 1,8-bis(dimethylamino)naphthalene (DMAN) and dicarboxylic acids complexes determined from single-crystal and powder diffraction data 10.1002/crat.201500084 Zmodyfikowano: 19/02/2017 03:26:06 przez: Autorzy (liczba autorów: 4) Wojciech Nitek Marcin Oszajca Alicja Rafalska-Łasocha Wiesław Łasocha Źródło Crystal Research and Technology (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2015 Instytucja Wydział Chemii (Uniwersytet Jagielloński w Krakowie) Data archiwizacji 17-02-2017 10:36:46
Artykuł PBN-AR Determination of lateral block size and mosaicity of crystals using X-ray diffraction from the edge of the sample 10.1002/crat.201500309 Zmodyfikowano: 16/02/2017 13:55:33 przez: Autorzy (liczba autorów: 1) Jarosław Serafińczuk Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2016 Instytucja Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska) Data archiwizacji 13-02-2017 18:59:20
Artykuł PBN-AR Directional solidification of Fe-Fe3C white eutectic alloy 10.1002/crat.201600359 Zmodyfikowano: 02/03/2019 03:27:39 przez: Autorzy (liczba autorów: 1) Małgorzata Trepczyńska-Łent Źródło Crystal Research and Technology (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2017 Instytucja Wydział Inżynierii Mechanicznej (Uniwersytet Technologiczno-Przyrodniczy im. Jana i Jędrzeja Śniadeckich w Bydgoszczy) Data archiwizacji 28-02-2019 13:54:18
Artykuł PBN-AR Effect of addition of different antisolvents on the crystallization of aqueous ammonium dihydrogen phosphate solutions 10.1002/crat.201600361 Zmodyfikowano: 24/02/2019 03:27:59 przez: Autorzy (liczba autorów: 2) Keshra Sangwal + 1 Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2017 Instytucja Wydział Mechaniczny (Politechnika Lubelska) Data archiwizacji 22-02-2019 10:47:05
Artykuł PBN-AR Effect of addition of different antisolvents on the crystallization of aqueous ammonium dihydrogen phosphate solutions 10.1002/crat.201600361 Zmodyfikowano: 06/12/2019 03:27:39 przez: Autorzy (liczba autorów: 3) Ewa Mielniczek-Brzóska Keshra Ram Sangwal + 1 Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2017 Instytucja Wydział Matematyczno-Przyrodniczy (Uniwersytet Humanistyczno-Przyrodniczy im. Jana Długosza w Częstochowie) Data archiwizacji 20-03-2018 13:54:08
Artykuł PBN-AR Formation and thermal decomposition of oxynitride germanium compounds 10.1002/crat.201500058 Zmodyfikowano: 08/03/2017 15:48:07 przez: Autorzy (liczba autorów: 6) Sławomir Podsiadło Maciej Białogłowski Grzegorz Matyszczak + 3 Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2015 Instytucja Wydział Chemiczny (Politechnika Warszawska) Data archiwizacji 01-03-2017 00:51:30
Artykuł PBN-AR Formation of ZnSe and ZnS nanostructures from hybrid organic-inorganic precursors of the type ZnSe(m-xylylenediamine)_{1/2} and ZnS(1,3-diaminopropane)_{1/2} 10.1002/crat.201400441 Zmodyfikowano: 19/02/2017 03:26:06 przez: Autorzy (liczba autorów: 2) Wiesław Łasocha + 1 Źródło Crystal Research and Technology (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2015 Instytucja Wydział Chemii (Uniwersytet Jagielloński w Krakowie) Data archiwizacji 17-02-2017 10:36:49
Artykuł PBN-AR Fourier analysis of scratches generated on m-GaN substrates during polishing 10.1002/crat.201400465 Zmodyfikowano: 08/03/2017 14:06:04 przez: Autorzy (liczba autorów: 7) Robert Kudrawiec + 6 Źródło Crystal Research and Technology (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2015 Instytucja Wydział Podstawowych Problemów Techniki (Politechnika Wrocławska) Data archiwizacji 13-02-2017 19:25:00
Artykuł PBN-AR Fourier analysis of scratches generated on m-GaN substrates during polishing 10.1002/crat.201400465 Zmodyfikowano: 16/02/2017 13:55:33 przez: Autorzy (liczba autorów: 7) Teodor Gotszalk Grzegorz Jóźwiak Jarosław Serafińczuk Piotr Pałetko + 3 Źródło Crystal Research and Technology (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2015 Instytucja Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska) Data archiwizacji 13-02-2017 18:59:19
Artykuł PBN-AR Influence of GaN substrate crystallographic quality on the intensity of AlGaN epitaxial layer X-ray diffraction peaks 10.1002/crat.201500051 Zmodyfikowano: 07/04/2017 16:35:13 przez: Autorzy (liczba autorów: 4) Ewa Grzanka Marcin Kryśko Michał Leszczyński Jarosław Domagała Źródło Crystal Research and Technology (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2015 Instytucja Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk Data archiwizacji 01-03-2017 00:32:42
Artykuł PBN-AR Investigation of selected alcohols as antisolvents in the crystallization behavior of ammonium dihydrogen phosphate from aqueous solutions 10.1002/crat.201700254 Zmodyfikowano: 24/02/2019 03:27:58 przez: Autorzy (liczba autorów: 2) Keshra Sangwal + 1 Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2018 Instytucja Wydział Mechaniczny (Politechnika Lubelska) Data archiwizacji 22-02-2019 10:47:12
Artykuł PBN-AR Kinetic block model of crystal–mother-phase interface with preferential clustering - single layer case 10.1002/crat.201500069 Zmodyfikowano: 05/03/2017 03:23:38 przez: Autorzy (liczba autorów: 2) Marek Izdebski Magdalena Włodarska Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2016 Instytucja Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej (Politechnika Łódzka) Data archiwizacji 28-02-2017 17:22:01
Artykuł PBN-AR Light influence on the sheet resistance of AlGaN/GaN heterostructures grown by MOVPE technique 10.1002/crat.201800157 Zmodyfikowano: 24/07/2019 03:28:33 przez: Autorzy (liczba autorów: 3) Piotr Pokryszka Tomasz Szymański Bogdan Paszkiewicz Źródło Crystal Research and Technology (20pkt w roku publikacji) (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2018 Instytucja Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska) Data archiwizacji 22-07-2019 10:37:22
Artykuł PBN-AR Numerical design of Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy process for gallium nitride epitaxial growth 10.1002/crat201600265 Zmodyfikowano: 03/03/2017 03:21:00 przez: Autorzy (liczba autorów: 5) Piotr Caban + 4 Źródło CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY (segment A pozycja 2770, 20 pkt.) Rok 2016 Instytucja Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych Data archiwizacji 01-03-2017 00:31:12