Influence of GaN substrate crystallographic quality on the intensity of AlGaN epitaxial layer X-ray diffraction peaks
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
CRYSTAL RESEARCH AND TECHNOLOGY
ISSN
0232-1300
EISSN
1521-4079
Wydawca
WILEY-BLACKWELL
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
9-10
Strony od-do
759-763
Numer tomu
50
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
In the case of nearly perfect semiconductor layers (as AlGaAs on GaAs), the experimental data of X-ray Diffraction are well simulated using the Dynamical Theory of X-ray Diffraction. In the case of AlGaN and InGaN layers, intensity of their XRD peaks depend very strongly on the crystallographic quality of not only the layers, but also the substrates. In the paper, we show differences in XRD peak intensities for the AlGaN layers on GaN of the same thickness and Al-content, but of different dislocation density.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:714911
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych