Monolithic cyan - violet InGaN/GaN LED array
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE (25pkt w roku publikacji)
ISSN
1862-6300
EISSN
1862-6319
Wydawca
WILEY-BLACKWELL
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
Strony od-do
16600815
Numer tomu
214
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
In the case of InGaN alloys grown by metalorganic vapour phase epitaxy on a c-plane GaN, indium content decreases as the substrate miscut is increased. This phenomenon has been previously used to fabricate laser diodes with variable wavelength on one chip [Appl. Phys. Express 5, 021001 (2012)]. In that work, however, wavelength variation was only 5 nm. In the present work we show independent, electrically driven array of light emitting diodes (LED), covering 40 nm emission wavelength range on one chip. This is achieved by a particular patterning technique, which enables the change in the local miscut of the substrate by introducing large enough slopes for practical devices. This technological approach offers a new degree of freedom for InGaN/GaN bandgap modification and device engineering. It can be applied to freestanding GaN as well as to GaN/sapphire templates used for mass production of LEDs. Once optimized, this approach could eventually lead to truly monolithic RGB LEDs.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:830757
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych