XPS method as a useful tool for studies of quantum well epitaxial materials: Chemical composition and thermal stability of InGaN/GaN multilayers
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Journal of Alloys and Compounds
ISSN
0925-8388
EISSN
1873-4669
Wydawca
Elsevier Science
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
181-187
Numer tomu
597
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
EN
Inorganic materials
Quantum wells
Crystal grown
Composition fluctuations
Photoelectron spectroscopies
Streszczenia
Język
EN
Treść
The XPS technique combined with low energy Ar+ ion sputter depth profiling was used to obtain information about chemical composition and reproducibility of the growth procedure by the MOVPE method of the InGaN multi quantum wells (MQWs). A good in-depth resolution of the XPS depth profiling technique, allows observation of InGaN quantum wells with thickness down to 2 nm. However quantitative characterization of very narrow QWs is limited by the elemental detection range of the XPS analysis. Both the InGaN QWs and GaN barriers parameters were well characterized using the model MQWs samples with various QW thickness. Inter-diffusion of indium within the GaN barrier layers, induced by high-temperature annealing, has been detected. This work evidences the successful application of the XPS depth profiling analysis as a very useful tool to optimize the growth parameters and thermal stability of InGaN/GaN MQWs.
Inne
System-identifier
PX-56b474528106eb71826ed412
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych