Effect of hydrogen during growth of quantum barriers on the properties of InGaN quantum wells
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
EISSN
1873-5002
Wydawca
Elsevier Ltd.
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
Strony od-do
38-41
Numer tomu
414
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,50
Słowa kluczowe
en
X-ray diffraction
Atomic force microscopy
Low press metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting ternary compounds
Streszczenia
Język
en
Treść
InGaN/GaN multiple quantum well structures were grown on bulk GaN and on sapphire substrates using the metalorganic vapor-phase epitaxy in order to study the influence of hydrogen during the growth of the GaN barriers. This hydrogen flow had the following effects on the structures: (i) the thickness of the QWs was reduced, (ii) the indium concentration in the QWs was decreased and (iii) the growth rate of the quantum barriers was increased.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:749483
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych