Properties of chemical vapor deposition graphene transferred by high-speed electrochemical delamination
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Politechnika Warszawska)
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Journal of Physical Chemistry C
ISSN
1932-7447
EISSN
Wydawca
American Chemical Society
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
40
Strony od-do
20833-20837
Numer tomu
117
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.5
Streszczenia
Język
en
Treść
We report on the electrical characterization and Raman spectroscopy of chemical vapor deposition copper-grown graphene transferred onto a Si/SiO 2 substrate by high-speed (1 mm/s) electrochemical delamination. We determine graphene's sheet resistance, carrier mobility, and concentration as well as its physical quality as a function of the electolyte concentration. Graphene's electrical properties are investigated with standard Hall measurements in van der Pauw geometry and a contactless method that employs a single-post dielectric resonator operating at microwave frequencies. These properties are related to the widely used copper etching technique. The results prove that the high-speed electrochemical delamination provides good-quality graphene within a short time scale. © 2013 American Chemical Society.
Inne
System-identifier
WUT404583
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych