Negative magnetoresistance and anomalous Hall effect in GeMnTe-SnMnTe spin-glass-like system
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
6
Strony od-do
063702
Numer tomu
113
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
SEMIMAGNETIC SEMICONDUCTORS FERROMAGNETIC TRANSITION MAGNETIC SEMICONDUCTORS GE1-XMNXTE MECHANISM CRYSTALS LAYERS
Streszczenia
Język
en
Treść
Magnetotransport properties of spin-glass-like Ge1-x-ySnxMnyTe mixed crystals with chemical composition changing in the range of 0.083 <= x <= 0.142 and 0.012 <= y <= 0.119 are presented. The observed negative magnetoresistance we attribute to two mechanisms, i.e., weak localization occurring at low fields and spin disorder scattering giving contribution mainly at higher magnetic fields. A pronounced hysteretic anomalous Hall effect (AHE) was observed. The estimated AHE coefficient shows a small temperature dependence and is dependent on Mn-content, with changes in the range of 10 (7) < R-S < 10 (6)m(3)/C. The scaling law analysis has proven that the AHE in this system is due to the extrinsic mechanisms, mainly due to the skew scattering accompanied with the side jump processes.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:678639
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych