Graded-index separate confinement heterostructure InGaN laser diodes
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki Technicznej, Informatyki i Matematyki Stosowanej (Politechnika Łódzka)
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Applied Physics Letters
ISSN
0003-6951
EISSN
1077-3118
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
26
Strony od-do
261107-261107
Numer tomu
103
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Inne
System-identifier
444856
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych