Surface Leakage Currents in SiN and Al2O3 Passivated AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Chinese Physics Letters
ISSN
0256-307X
EISSN
1741-3540
Wydawca
Chinese Physical Society
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
6
Strony od-do
067201
Numer tomu
33
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
angielski
Treść
Surface leakage currents of AlGaN/GaN high electron mobility transistors are investigated by utilizing a circular double-gate structure to eliminate the influence of mesa leakage current. Different mechanisms are found under various passivation conditions. The mechanism of the surface leakage current with Al2O3 passivation follows the two-dimensional variable range hopping model, while the mechanism of the surface leakage current with SiN passivation follows the Frenkel-Poole trap assisted emission. Two trap levels are found in the trap-assisted emission. One trap level has a barrier height of 0.22 eV for the high electric field, and the other trap level has a barrier height of 0.12 eV for the low electric field.
Inne
System-identifier
PX-58b9469cd5deb5b74ea2bb77
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych