Behavioral Approach to SiC MPS Diode Electrothermal Model Generation
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektrotechniki, Elektroniki, Informatyki i Automatyki (Politechnika Łódzka)
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
ISSN
0018-9383
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
2
Strony od-do
630-638
Numer tomu
60
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
EN
Treść
A comprehensive approach to generation of electrothermal models of silicon carbide (SiC) power Schottky diodes is presented. Both the electrical and thermal parts of the model are behavioral. The electrical one was developed in order to accurately represent the nonlinear properties of SiC merged PiN Schottky (MPS) diodes. Its parameters are automatically obtained with a dedicated numerical procedure. The thermal model derivation differs from the earlier approaches because it is based on the analysis of thermal constant spectrum of the temperature response of a modeled device. Simple model generation and parameter extraction procedures are proposed in which no knowledge of technological data is necessary.
Inne
System-identifier
14016
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych