HVPE-GaN growth on ammonothermal GaN crystals
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
Strony od-do
86250B
Numer tomu
8625
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
angielski
Crystals
Gallium nitride
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Symposium on Gallium Nitride Materials and Devices VIII
Początek konferencji
2013-02-04
Koniec konferencji
2013-02-07
Lokalizacja konferencji
San Francisco
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
angielski
Treść
HVPE crystallization on ammonothermaly grown GaN crystals (A-GaN) is described. Preparation of the (0001) surface of the A-GaN crystals to the epi-ready state is presented. The HVPE initial growth conditions are determined and demonstrated. An influence of a thickness and a free carrier concentration in the initial substrate on quality and mode of growth by the HVPE is examined. Smooth GaN layers of excellent crystalline quality, without cracks, and with low dislocation density are obtained.
Inne
System-identifier
PX-58e26ec5d5de0fdf4b4dd1e9
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych