Advances in AlGaInN laser diode technology
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
89861-89861
Numer tomu
8986
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Indium gallium aluminum nitride
Semiconductor lasers
Lasers
Gallium nitride
Indium
Diodes
Epitaxy
Free space
Metalorganic chemical vapor deposition
Molecular beam epitaxy
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Conference on Gallium Nitride Materials and Devices IX
Początek konferencji
2014-02-03
Koniec konferencji
2014-02-06
Lokalizacja konferencji
San Francisco
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
The latest developments in AlGaInN laser diode technology are reviewed. The AlGaInN material system allows for laser diodes to be fabricated over a very wide range of wavelengths from u.v., i.e, 380nm, to the visible, i.e., 530nm, by tuning the indium content of the laser GaInN quantum well. Advantages of using Plasma assisted MBE (PAMBE) compared to more conventional MOCVD epitaxy to grow AlGaInN laser structures are highlighted. Ridge waveguide laser diode structures are fabricated to achieve single mode operation with optical powers of >100mW in the 400-420nm wavelength range that are suitable for telecom applications. Visible light communications at high frequency (up to 2.5 Gbit/s) using a directly modulated 422nm Galliumnitride (GaN) blue laser diode is reported. High power operation of AlGaInN laser diodes is demonstrated with a single chip, AlGaInN laser diode ‘mini-array’ with a common p-contact configuration at powers up to 2.5W cw at 410nm. Low defectivity and highly uniform GaN substrates allow arrays and bars of nitride lasers to be fabricated. GaN laser bars of up to 5mm with 20 emitters, mounted in a CS mount package, give optical powers up to 4W cw at ~410nm with a common contact configuration. An alternative package configuration for AlGaInN laser arrays allows for each individual laser to be individually addressable allowing complex free-space and/or fibre optic system integration within a very small form-factor.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
743897
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych