Magnetic Interactions and Magnetotransport in Ge1-X TM x Te Diluted Magnetic Semiconductors
PBN-AR
Instytucja
Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Książka
Tytuł książki
Proceedings of the III Advanced Ceramics and Applications Conference
Data publikacji
2016
ISBN
9789462391567
Wydawca
Atlantis Press
Publikacja
Główny język publikacji
en
Tytuł rozdziału
Magnetic Interactions and Magnetotransport in Ge1-X TM x Te Diluted Magnetic Semiconductors
Rok publikacji
2016
Strony (od-do)
69-84
Numer rozdziału
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,88
Hasło encyklopedyczne
Słowa kluczowe
en
Diluted magnetic semiconductors Spintronics
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
ACA III 2014
Nazwa konferencji
III Advanced Ceramics and Applications Conference
Początek konferencji
2014-09-29
Koniec konferencji
2014-10-01
Lokalizacja konferencji
Belgrade
Kraj konferencji
RS
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
Diluted magnetic semiconductors (DMS) allows an independent control of electrical and magnetic properties by many orders of magnitude via changes in the technological parameters of the growth or post growth treatment of the compound. DMS compounds are usually developed on the basis of a III−V or II−VI semiconductor matrix into which transition metal (TM) or rare earth ions are introduced on a level of several atomic percent. IV−VI based DMS, in particular Ge1-x TM x Te alloys, possess many advantages over widely studied Ga1-x Mn x As. The carrier concentration and the amount of TM ions can be controlled independently. Moreover, the solubility of TM ions in GeTe is very high allowing growth of homogeneous Ge1-x TM x Te solid solutions over a wide range of chemical composition. Itinerant ferromagnetism can be controlled in a wide range of values reaching the Curie temperatures with a maximum of about 200 K for bulk Ge1-x Mn x Te with x = 0.5. The most important aspects of the current progress in understanding the structural, electrical, and magnetic properties of the selected representatives of Mn- and Cr-alloyed GeTe based DMS systems are reviewed. The present state of the studies of the physical mechanisms of the ferromagnetism and spin-glass-like states in Ge1-x TM x Te are described as well as the explanation of the nature of the magnetotransport effects such as negative magnetoresistance and anomalous Hall effect in Ge1-x TM x Te solid solutions.
Cechy publikacji
Rozdział w książce
Chapter in a book
Inne
System-identifier
PBN-R:722113
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych