Influence of the growth method on degradation of InGaN laser diodes
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Applied Physics Express (35pkt w roku publikacji)
ISSN
1882-0778
EISSN
Wydawca
JAPAN SOC APPLIED PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2017
Numer zeszytu
9
Strony od-do
031001
Numer tomu
10
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Streszczenia
Język
angielski
Treść
We demonstrate the influence of the operation current density and temperature on the degradation rate of InGaN laser diodes grown via metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) and plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). The degradation rate of the MOVPE devices shows an exponential dependence on the temperature, with an activation energy of 0.38–0.43 eV, and a linear dependence on the operating current density. In comparison, the MBE-grown lasers exhibit a higher activation energy, on the order of 1 eV, and typically a lower degradation rate, resulting in a service time exceeding 50,000 h. We suggest that this difference may be related to the lower concentration of H in the Mg-doped MBE-grown GaN.
Inne
System-identifier
PX-5a8592f1d5de81a432d1fb26
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych