Enhancement of optical confinement factor by InGaN waveguide in blue laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Źródłowe zdarzenia ewaluacyjne
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Applied Physics Express
ISSN
1882-0778
EISSN
1882-0786
Wydawca
IOP Publishing Ltd
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
3
Strony od-do
032103
Numer tomu
8
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
The influence of InxGa1−xN waveguide on the properties of blue (λ = 450 nm) laser diodes grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy was studied. The threshold current density was reduced by 50% (to 3.6 kA/cm2) when the indium content was increased from x = 0.04 to 0.08. This is explained by a substantial enhancement of the optical confinement factor for a high-In-content waveguide, which increases the differential modal gain. Furthermore, we observed a decrease in optical losses when Mg-doped layers were separated from the active region by a thicker waveguide. This is attributed to the lower overlap between the optical mode and absorptive Mg-doped layers.
Cechy publikacji
discipline:Fizyka
discipline:Physics
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Inne
System-identifier
PBN-R:744178
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych