Cluster-like resistive switching of SrTiO3 : Nb surface layers
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyki, Fizyki i Chemii (Uniwersytet Śląski w Katowicach)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
NEW JOURNAL OF PHYSICS
ISSN
1367-2630
EISSN
Wydawca
IOP PUBLISHING LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
10
Strony od-do
103017(1-14)
Numer tomu
15
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 6)
Pozostali autorzy
+ 5
Słowa kluczowe
PL
High resistance
Low-resistance state
Model materials
Non-volatile memory
Resistive switching
Resistive switching mechanisms
Secondary phasis
Semiconducting surfaces
Streszczenia
Język
angielski
Treść
The understanding of the resistive switching mechanisms in perovskites is of particular importance for the development of novel non-volatile memories. Nanoscale investigations recently revealed that in the model material SrTiO3 a filamentary type of switching is present. In this paper, we show that upon donor doping with Nb the switching type changes fundamentally. We report on the observation of conducting clusters that can be switched independently between a high resistance and a low resistance state when applying a voltage. Furthermore, we show that the resistive switching takes place in a semiconducting surface layer on top of the metallic bulk of SrTiO3:Nb single crystals, which can change its properties easily under external gradients. Based on various measurements, we postulate that ionic movements leading to the creation of secondary phases as nano-filaments between the clusters have to be taken into account in modelling the resistive switching.
Inne
System-identifier
0192600107211
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych