Influence of V/III ratio during MOVPE GaN buffer growth on the properties of AlGaN/GaN/SiN/AlN/Si(111) structures for HEMT purposes /
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki (Politechnika Wrocławska)
Książka
Tytuł książki
16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy, EWMOVPE XVI, June 7-10, 2015, Lund, Sweden / The Nanometer Structure Consortium at Lund University.
Data publikacji
2015
ISBN
Wydawca
b.w.
Publikacja
Główny język publikacji
eng
Tytuł rozdziału
Influence of V/III ratio during MOVPE GaN buffer growth on the properties of AlGaN/GaN/SiN/AlN/Si(111) structures for HEMT purposes /
Rok publikacji
2015
Strony (od-do)
207-210
Numer rozdziału
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Hasło encyklopedyczne
Słowa kluczowe
pol
MOVPE
AlGaN/GaN/Si
HEMT na Si
warstwa maskująca SiN
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
nie
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
EWMOVPE XVI
Nazwa konferencji
16th European Workshop on Metalorganic Vapour Phase Epitaxy
Początek konferencji
2015-06-07
Koniec konferencji
2015-06-10
Lokalizacja konferencji
Lund
Kraj konferencji
SE
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Inne
System-identifier
000200481