Role of Nonequivalent Atomic Step Edges in the Growth of InGaN by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Japanese Journal of Applied Physics
ISSN
0021-4922
EISSN
1347-4065
Wydawca
IOP Publishing Ltd
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
8S
Strony od-do
08JE02
Numer tomu
52
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
EN
Treść
In this work, we study the growth mechanisms of InGaN in plasma-assisted molecular beam epitaxy (PAMBE). We demonstrate that for a metal-rich regime, in the range in which growth temperature limits the maximum In content, growth rate depends on gallium flux. This mechanism was investigated by the growth of InGaN/InGaN multi quantum wells (MQWs). We show that for constant growth temperature and nitrogen flux, the growth rate of MQWs decreases with decreasing gallium flux. We demonstrate also that at constant growth temperature and gallium flux, the In content in InGaN layers depends on nitrogen flux. We present an InGaN growth model that describes indium incorporation as a function of gallium and nitrogen fluxes, assuming that nonequivalent atomic step edges play an important role in indium incorporation mechanisms in PAMBE.
Inne
System-identifier
PX-5698c97c810641ecf91a88d0
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych