Positronics of radiation-induced effects in chalcogenide glassy semiconductors.
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyczno-Przyrodniczy (Uniwersytet Humanistyczno-Przyrodniczy im. Jana Długosza w Częstochowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Semiconductors
ISSN
1063-7826
EISSN
1090-6479
Wydawca
Pleiades Publishing
DOI
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
3
Strony od-do
298-304
Numer tomu
49
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 5)
Pozostali autorzy
+ 4
Streszczenia
Język
EN
Treść
Using As2S3 and AsS2 glasses as an example, the principal possibility of using positron annihilation spectroscopy methods for studying the evolution of the free volume of hollow nanoobjects in chalcogenide glassy semiconductors exposed to radiation is shown. The results obtained by measurements of the positron annihilation lifetime and Doppler broadening of the annihilation line in reverse chronological order are in full agreement with the optical spectroscopy data in the region of the fundamental absorption edge, being adequately described within coordination defect-formation and physical-aging models.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Zrecenzowana naukowo
Inne
System-identifier
PX-56b463f68106eb71826e46c9
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych