Resonator structures on AlN ceramics surface treated by laser radiation
PBN-AR
Instytucja
Instytut Optoelektroniki (Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
89730Q
Numer tomu
8973
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Aluminum nitride
Ceramic materials
Composite micromechanics
Metallizing
Metamaterials
Microanalysis
Microfabrication
Micromachining
Optical resonators
Ceramics
Laser micro-machining
Process parameters
Resonant structures
Resonator structures
Spiral resonators
Split ring resonator
Surface treated
Ring gages
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Micromachining and Microfabrication Process Technology XIX
Początek konferencji
2014-02-01
Koniec konferencji
2014-03-05
Lokalizacja konferencji
San Francisco
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
In this paper a method for producing resonant structures using laser micromachining is presented. In the spot of laser beam impact on AlN ceramics surface a conductive aluminum layer is formed. Compilation of process parameters allows for the fabrication of structures with resistance at Rs ∼ 0.01Ω/Rs. It has been also found out that the maximum value of resistance for which spiral resonator structures manifest their unique properties is at the level of Rs = 1.43 Ω. Furthermore, the occurrence of mutual capacity which value is dependent on the arrangement of individual SR structures with respect to each other was observed and examined. Based on satisfactory results for SR structures, it has been attempted to produce a resonant structures dedicated to the THz range based on the process of direct metallization of AlN ceramics surface. As a result, the Split Ring Resonator structure whose properties were verified by using the THz -TDS method was manufactured. In case of the field E perpendicular to SRR structure and one resonance area for 0.50 THz with field E parallel to the structure, two characteristic resonant dips for 0.22 THz and 0.46 THz were obtained. The studies confirmed that the method of direct metallization of AlN ceramics allows to produce resonant structures in the THz range. © 2014 SPIE.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
597286
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych