Advantage of In- over N-polarity for disclosure of p-type conduction in InN:Mg
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
17
Strony od-do
173704
Numer tomu
115
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
EN
Magnesium
Thermoelectric effects
Doping
Hole doped superconductors
Space charge effects
Streszczenia
Język
EN
Treść
We have measured thermoelectric power in two series of polar InN:Mg samples with wide range of Mg content having In- as well as N-growth polarities. We have observed essential differences between both polarities: In the “p-type window” centered at about 1 × 1019 cm−3 of [Mg], reported recently, the thermoelectric power changed its sign from n to p-type, only for In-growth polarity samples. These results have been confirmed by the so-called mobility spectrum analysis. It strongly supports the suggestion that In-growth polarity is more propitious to p-type conduction in InN:Mg than the N one.
Inne
System-identifier
PX-56b474528106eb71826ed40e
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych