Adsorption of ammonia on hydrogen covered GaN(0001) surface - Density Functional Theory study
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
EISSN
1873-5002
Wydawca
Elsevier Science
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
514-517
Numer tomu
401
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Słowa kluczowe
EN
Computer simulation
Surface processes
Metalorganic vapor phase epitaxy
Nitrides
Semiconducting III–V materials
Streszczenia
Język
EN
Treść
Density Functional Theory (DFT) simulations of ammonia adsorption at clean and H-covered surface confirmed that ammonia may dissociate into NH2 radical and H adatom or remain in the molecular form. The remaining hydrogen atoms are attached to Ga atoms where the charge transfer to the surface is possible. The calculations show that for the molecular process, the ammonia adsorption energy is close to 2.0 eV, independent of hydrogen coverage. The dissociative process is strongly H-coverage dependent, for low H-coverage the adsorption energy is close to 2.8 eV, for high coverage changes by more than 4 eV reaching negative values. Thus for low coverage the energetically preferred adsorption is dissociative, for high is molecular. The dissociation energy and preferred mode change are related to the change of the Fermi level pinning from Ga broken bond state to valence band maximum (VBM), confirming the decisive role of charge transfer in the adsorption processes.
Inne
System-identifier
PX-56b474538106eb71826ed41d
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych