Ab initio studies of early stages of nitride growth process on silicon carbide
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE BV
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
25-29
Numer tomu
401
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 3)
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
499111
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych