Dominant shallow donors in zinc oxide layers obtained by low-temperature atomic layer deposition: Electrical and optical investigations
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyczno-Przyrodniczy.Szkoła Nauk Ścisłych (Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Acta Materialia
ISSN
1359-6454
EISSN
Wydawca
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
69-75
Numer tomu
65
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Zinc oxide
Thin films
Atomic layer deposition
Defects
Electrical conductivity (n-type)
Streszczenia
Język
en
Treść
This work is focused on the electrical and optical analyses used to estimate the activation energy of the dominant shallow donor in thin ZnO films obtained at low temperature by the atomic layer deposition process. These two approaches, based on the temperature-dependent classical Hall effect and photoluminescence investigations, yielded a donor activation energy E-D in the range of 30-40 meV, including the estimated error margins. This value, as confirmed by layer composition studies, is attributed to the presence of zinc atoms in the interstitial positions of the ZnO lattice. (C) 2013 Acta Materialia Inc. Published by Elsevier Ltd. All rights reserved.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
662661
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych