Electrical and photovoltaic properties of ZnO/Si heterostructures with ZnO films grown by atomic layer deposition
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyczno-Przyrodniczy.Szkoła Nauk Ścisłych (Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
THIN SOLID FILMS
ISSN
0040-6090
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE SA
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
28-31
Numer tomu
563
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Solar cells
Heterojunction
Atomic layer deposition
Zinc oxide
Silicon
Streszczenia
Język
en
Treść
We report on the properties of photovoltaic (PV) structures based on thin films of n-type zinc oxide grown by atomic layer deposition method on a cheap silicon substrate. Thin films of ZnO are used as n-type partner to p-type Si (110) and, when doped with Al, as a transparent electrode. PV structures with different thicknesses of ZnO layers (from 600 nm to 1600 nm) were deposited to determine the optimal performance of PV structures. The best response we obtained for the structure with ZnO layer thickness of 800 nm. The so-obtained PV structures show 6\% efficiency. (C) 2013 Elsevier B.V. All rights reserved.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
662642
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych