Trap levels in the atomic layer deposition-ZnO/GaN heterojunction-Thermal admittance spectroscopy studies
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyczno-Przyrodniczy.Szkoła Nauk Ścisłych (Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
19
Strony od-do
Numer tomu
113
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
In this work, a n-ZnO/p-GaN heterojunction is analyzed using admittance spectroscopy techniques. Capacitance transient measurements performed at 10 kHz reveal four majority-carrier deep levels, the most important one located at approximately 0.57 eV below the ZnO conduction band (CB) edge with a density about two orders of magnitude below the doping level (N-T = 4 x 10(15) cm(-3)). The others, located at 0.20 eV, 0.65 eV, and 0.73 eV, are about three orders of magnitude below the doping level (N-T = 4-9 x 10(14) cm(-3)). (C) 2013 AIP Publishing LLC.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
662644
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych