Atomic layer deposition of Zn1-xMgxO:Al transparent conducting films
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyczno-Przyrodniczy.Szkoła Nauk Ścisłych (Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE
ISSN
0022-2461
EISSN
1573-4803
Wydawca
SPRINGER
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
4
Strony od-do
1512-1518
Numer tomu
49
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
LIGHT-EMITTING DEVICES
RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY
PULSED-LASER DEPOSITION
OXIDE THIN-FILMS
ZINC-OXIDE
Streszczenia
Język
en
Treść
Aluminum-doped zinc magnesium oxide (Zn1-xMgxO:Al) films with the Mg content from x = 0 to 0.48 were obtained using atomic layer deposition (ALD). Together with the thorough studies of the properties of the deposited films, the ALD growth parameters conditioning possible applications of Zn1-xMgxO: Al films as transparent electrodes are investigated. Very low film resistivities (<= similar to 10(-3) Omega cm) and the metallic-type conductivity behavior at room temperature for Zn1-xMgxO: Al films are observed for Mg content x < 0.19. The Mg content of x = 0.19 results in the optical absorption edge of Zn1-xMgxO: Al films at 3.81 eV (325 nm). Other film parameters like work function or sheet resistance can be easily modified by variation of growth parameters.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
662730
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych