Density functional study of GaN(0001)/AIN(0001) high electron mobility transistor structures
PBN-AR
Instytucja
Interdyscyplinarne Centrum Modelowania Matematycznego i Komputerowego (Uniwersytet Warszawski)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Crystal Growth
ISSN
0022-0248
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE BV
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
30-32
Numer tomu
401
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
AlN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures were theoretically investigated using the density functional theory (DFT). An existence of two-dimensional electron gas (2DEG), generated by strong polarization fields at the AlN/GaN interface, was confirmed by ab initio calculations. The potential profiles were analyzed for the HEMTs with different number of AlN layers, indicating that very thin AlN barrier could not provide a high density of carriers and good confinement of 2DEG. It was shown that for six AlN layers (thickness about 13 Å), no electron gas is present as shown by the potential profile. In the investigated electronic structure, the band states associated with the two-dimensional electron gas were identified. It was shown that for a thicker AlN barrier, the occupancy of this states is higher, that is consistent with the experimental data (Dabiran et al., Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 082111).
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
500272
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych