Effect of low-temperature annealing on the electronic- and band-structures of (Ga,Mn) As epitaxial layers
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyki, Fizyki i Informatyki (Uniwersytet Marii Curie-Skłodowskiej w Lublinie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
angielski
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AMER INST PHYSICS
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
012009
Strony od-do
1-6
Numer tomu
115
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
(liczba autorów: 7)
Pozostali autorzy
+ 5
Inne
System-identifier
276
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych