A Monolithic White-Light LED Based on GaN Doped with Be
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
ADVANCES IN SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
1662-0356
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
264-269
Numer tomu
93
Link do pełnego tekstu
Liczba arkuszy
0,5
Słowa kluczowe
en
light emitting diode
gallium nitride
beryllium
optical converters
Streszczenia
Język
en
Treść
In this communication, the use of gallium nitride doped with beryllium as an efficient converter for white light emitting diode is proposed. Until now beryllium in this material was mostly studied as a potential p-type dopant. Unfortunately, the realization of p-type conductivity in such a way seems impossible. However, due to a very intensive yellow emission, bulk crystals doped with beryllium can be used as light converters. In this communication, it is demonstrated that realisation of such diode is possible and realisation of a colour rendering index is close to that necessary for white light emission.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
701084
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych