AlGaN/GaN HEMT structures on ammono bulk GaN substrate
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
ISSN
0268-1242
EISSN
1361-6641
Wydawca
IOP PUBLISHING LTD
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
7
Strony od-do
075004-075004
Numer tomu
29
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
The work shows a successful fabrication of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures on the bulk GaN substrate grown by ammonothermal method providing an ultralow dislocation density of 104 cm−2 and wafers of size up to 2 inches in diameter. The AlGaN layers grown by metalorganic chemical vapor phase epitaxy method demonstrate atomically smooth surface, flat interfaces with reproduced low dislocation density as in the substrate. The test electronic devices—Schottky diodes and transistors—were designed without surface passivation and were successfully fabricated using mask-less laser-based photolithography procedures. The Schottky barrier devices demonstrate exceptionally low reverse currents smaller by a few orders of magnitude in comparison to the Schottky diodes made of AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
743778
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych