A new heterostructures fabrication technique and properties of produced SbSI/Sb2S3 heterostructures
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
OPTICS AND LASERS IN ENGINEERING
ISSN
0143-8166
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCI LTD
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
232-236
Numer tomu
55
Liczba arkuszy
0.70
Słowa kluczowe
en
Heterostructures
Heterojunctions
Antimony sulfoiodide
Laser processing
Streszczenia
Język
en
Treść
A new technique for heterostructure fabrication in semiconducting compounds has been proposed. Heterojunctions have been made by applying CO2 laser beam. In contradistinction to currently applied methods (MBE – Molecular Beam Epitaxy and CVD – Chemical Vapor Deposition)the presented technique is simple,of low-cost and very efficient. The new technique has been tested on antimony sulfoiodide (SbSI)single crystals,i.e.,a semiconducting, ferroelectric material characterized by many valuable properties. The most important structural, optical and electrical properties of the obtained heterostructures have been presented. Studies have shown that in the CO2 laser treated samples the junction exists between SbSI single crystal and amorphous phase of antimony sulfide (Sb2S3). At room temperaturę difference between energy gaps of both part sof SbSI/Sb2S3 heterostructure is equal to 0.3 eV. This leads to many interesting phenomena and potential applications.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
456713
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych