Fermi level pinning and the charge transfer contribution to the energy of adsorption at semiconducting surfaces
PBN-AR
Instytucja
Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Journal of Applied Physics
ISSN
0021-8979
EISSN
1089-7550
Wydawca
AIP Publishing LLC
DOI
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
4
Strony od-do
043529
Numer tomu
115
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
1,1
Słowa kluczowe
en
adsorption
surface states
fermi levels
semiconductor surfaces
surface charge
Streszczenia
Język
en
Treść
It is shown that charge transfer, the process analogous to formation of semiconductor p-n junction, contributes significantly to adsorption energy at semiconductor surfaces. For the processes without the charge transfer, such as molecular adsorption of closed shell systems, the adsorption energy is determined by the bonding only. In the case involving charge transfer, such as open shell systems like metal atoms or the dissociating molecules, the energy attains different value for the Fermi level differently pinned. The Density Functional Theory (DFT) simulation of species adsorption at different surfaces, such as SiC(0001) or GaN(0001) confirms these predictions: the molecular adsorption is independent on the coverage, while the dissociative process adsorption energy varies by several electronvolts.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
728805
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych