Influence of pressure on the properties of GaN/AlN multi-quantum wells – Ab initio study
PBN-AR
Instytucja
Wydział Matematyczno-Przyrodniczy.Szkoła Nauk Ścisłych (Uniwersytet Kardynała Stefana Wyszyńskiego w Warszawie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS
ISSN
0022-3697
EISSN
Wydawca
PERGAMON-ELSEVIER SCIENCE LTD
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
100-117
Numer tomu
93
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
Semiconductors Elastic properties Electrical properties Piezoelectricity Superlattices
Streszczenia
Język
en
Treść
Pressure dependence of physical properties of GaN/AlN multi-quantum wells (MQWs) was investigated using ab intio calculations. The influence of pressure was divided into two main contributions: pressure affecting the properties of GaN and AlN bulk semiconductors and an influence on systems of polar quantum wells deposited on various substrates. An influence of hydrostatic, uniaxial, and tetragonal strain on the crystallographic structure, polarization (piezoelectricity), and the bandgap of the bulk systems is assessed using ab initio calculations. It was shown that when a partial relaxation of the structure is assumed, the tetragonal strain may explain an experimentally observed reduction of pressure coefficients for polar GaN/AlN MQWs. The MQWs were also simulated directly using density functional theory (DFT) calculations. A comparison of these two approaches confirmed that nonlinear effects induced by the tetragonal strain related to lattice mismatch between the substrates and the polar MQWs systems are responsible for a drastic decrease of the pressure coefficients of photoluminescence (PL) energy experimentally observed in polar GaN/AlGaN MQWs. (C) 2016 Elsevier Ltd. All rights reserved.
Cechy publikacji
Oryginalny artykuł naukowy
Oryginalny artykuł naukowy przedstawia rezultaty oryginalnych badań naukowych lub eksperymentu.
Original article
Original article presents the results of original research or experiment.
Inne
System-identifier
PBN-R:730651
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych