Kinetyka wzrostu warstw w procesie RFCVD
PBN-AR
Instytucja
Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
PL
Czasopismo
IM Inżynieria Materiałowa
ISSN
0208-6247
EISSN
Wydawca
Wydawnictwo SIGMA-NOT Sp. z o.o.
DOI
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
6
Strony od-do
492--495
Numer tomu
35
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.3
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 1
Słowa kluczowe
EN
RFCVD method
a-C:H
growth rate
active centers
layers Si3N4
PL
metoda RFCVD
warstwy Si3N4
a-C:H
szybkosć wzrostu
centra aktywne
Streszczenia
Język
EN
Treść
Layer growth rate in chemical processes of chemical deposition from gaseous phase (CVD) depends on several parameters, such as substrat temperature, concentration and flow velocity of reacting substances, pressure, plasma generator power (in case of PACVD method) and deposition time. Independently on numerous studies on the problem in question, there are no literature data concerning the influence of the deposition time and layer growth mechanism. The results of examination on growth rate of silicon nitride layers and nitrogen-doped carbon layers substrate (001) Si in function of deposition time in the process of plasma-assisted chemical vapour deposition RFCVD (13.56 MHz, 400 W), have been described in the present study. On the basis of the layer thickness measurements it was proved that kinetic curves have nonlinear character but they comprise several stages, which are systematically repeated. It was also proved that the mentioned curves are characterized with bigger growing rate at the beginning and then the rate is moderated at the end of each stage. The data indicate that the growth process within this system is limited by number of active centers on the substrat surface, and in next stages on the surface of growing layers. Discussion on probable mechanism with respect to theory of transitional state has also been presented.
Język
PL
Treść
W projektowaniu technologii cienkich warstw i powłok, w tym również technologii chemicznego osadzania z fazy gazowej (CVD) zależy od wielu parametrów, takich jak temperatura podłoża, stężenie, szybkość przepływu reagentów chemicznych, ciśnienie, moc generatora plazmy (w przypadku metod PACVD) oraz czas osadzania. Mimo wielu prac związanych z otrzymywaniem warstw w procesie CVD w literaturze brak jest danych dotyczących badań wpływu ostatniego z wymienionych parametrów, czasu osadzania, na szybkość i mechanizm ich wzrostu. Praca zawiera wyniki badań szybkości wzrostu warstw azotku krzemu i warstw węglowych dotowanych azotem na podłożu (001) Si w funkcji czasu osadzania w procesie chemicznego osadzania z fazy gazowej wspomaganego plazmą generowaną przez fale o częstotliwości radiowej RFCVD (13,56 MHz, 400 W). Na podstawie pomiarów grubości warstw stwierdzono, że krzywe kinetyczne nie mają charakteru liniowego, lecz składają się z etapów, które systematycznie powtarzają się i charakteryzują się na początku szybszym tempem wzrostu, a następnie spowolnieniem pod koniec każdego z etapów. Dane te wskazują, że proces wzrostu w tym układzie jest limitowany liczbą aktywnych miejsc na powierzchni podłoża, a w dalszych etapach na powierzchni tworzących się warstw. Przeprowadzono dyskusję nad prawdopodobnym mechanizmem na podstawie teorii stanu przejściowego.
Cechy publikacji
original article
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:086615