Formation of $Si_{x}N_{y}(H)$ and C:N:H layers by plasma-assisted chemical vapor deposition method
PBN-AR
Instytucja
Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
EISSN
1879-2731
Wydawca
Elsevier Science SA
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
162--168
Numer tomu
600
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.5
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 1
Słowa kluczowe
EN
optical properties
growth rate
active centers
SixNy(H) layer
C:N:H layer
PA CVD method
Streszczenia
Język
EN
Treść
This work includes the results of growth rate of the silicon nitride layers and layers of carbon doped nitrogen deposition on (001) Si substrate as a function of time in the process of chemical vapor deposition, assisted with the plasma generated by radio frequency waves RF CVD (13,56 MHz, 300 W). On the basis of measurements of thickness of the layers it was observed that kinetic curves are not linear but consist of stages, which regularly recur and are characterized at first by the rapid growth rate and then by slowing down at the end of each stage. The spectroscopic ellipsometry investigations allowed us to determine layer thickness and optical constants parameters, versus deposition time. The obtained results allow us to conclude that the growth process within this system is limited by the number of active centers on the substrate surface, and at the next stages, on the surface of growing layers. A possible mechanism based on the theory on of transition state has been discussed.
Cechy publikacji
original article
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:096016
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych