Ammonolysis of gallium phosphide GaP to the nanocrystalline wide bandgap semiconductor gallium nitride GaN
PBN-AR
Instytucja
Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
RSC Advances
ISSN
2046-2069
EISSN
Wydawca
The Royal Society of Chemistry
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
128
Strony od-do
106128--106140
Numer tomu
5
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.92
Autorzy
(liczba autorów: 3)
Pozostali autorzy
+ 2
Streszczenia
Język
EN
Treść
The pnictogen-metathesis reaction of microcrystalline gallium phosphide GaP with ammonia NH3 at temperatures of 900–1150°C for 6–60 hours afforded in one step nanocrystalline powders of the wide bandgap semiconductor gallium nitride GaN. A suitable choice of conditions including variations of reaction temperature/time and manual grinding or high energy ball milling of the substrate enabled control over distinct GaN particle morphologies, regularly shaped particles or nanowires, and average crystallite sizes up to a few tens of nanometers. Under the applied conditions, all by-products were conveniently removed as volatiles affording pure GaN nanopowders. In contrast to ammonolysis of the related cubic GaAs and cubic GaSb, which yielded mixtures of the hexagonal and cubic GaN polytypes, here, the nitride was made exclusively as the stable hexagonal variety. All this supported specific reaction pathways with thermodynamics solely controlling the ammonolytical conversion of the cubic GaP substrate to the hexagonal GaN product.
Cechy publikacji
original article
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:094887
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych