Recent progress in calculations of electronic and transport properties of disordered thermoelectric materials
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki i Informatyki Stosowanej (Akademia Górniczo-Hutnicza im. Stanisława Staszica w Krakowie)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
EN
Czasopismo
Scripta Materialia
ISSN
1359-6462
EISSN
1872-8456
Wydawca
Pergamon-Elsevier Science Ltd.
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
33--38
Numer tomu
111
Link do pełnego tekstu
Liczba arkuszy
0.42
Słowa kluczowe
EN
semiconductor compounds
ab initio calculation
defects in semiconductors
thermoelectric materials
Streszczenia
Język
EN
Treść
Results of electronic structure calculations in disordered thermoelectric materials are presented using KKR–CPA technique. Firstly, it is applied to detect the resonant impurities in selected materials, including PbTe, where Bloch spectral functions are computed. Secondly, in combination with the Boltzmann transport theory, we discuss the effect of band convergence in Mg2(Si–Sn) and band alignment in half-Heusler Ti(Co–Fe–Ni)Sb, on thermoelectric performance. Moreover, the influence of spin–orbit interaction on band features and thermopower is shown in Mg2X (X = Si, Ge, Sn) compounds.
Cechy publikacji
original article
peer-reviewed
Inne
System-identifier
idp:095926
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych