Effect of ultra-shallow fluorine and nitrogen implantation from r.f. plasma and its effect on electro-physical parameters of Al/HfO2/Si MOS structures
PBN-AR
Instytucja
Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych (Politechnika Warszawska)
Książka
Tytuł książki
Proceedings of 18th International Workshop on Dielectrics in Microelectronics (WoDiM 2014)
Data publikacji
2014
ISBN
Wydawca
Publikacja
Główny język publikacji
en
Tytuł rozdziału
Effect of ultra-shallow fluorine and nitrogen implantation from r.f. plasma and its effect on electro-physical parameters of Al/HfO2/Si MOS structures
Rok publikacji
2014
Strony (od-do)
1-7
Numer rozdziału
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,5
Hasło encyklopedyczne
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 1
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
WODiM 2014
Nazwa konferencji
18th Workshop on Dielectrics in Microelectronics
Początek konferencji
2014-06-09
Koniec konferencji
2014-06-11
Lokalizacja konferencji
Kinsale Co Cork
Kraj konferencji
IE
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
The feasibility of ultra-shallow fluorine and nitrogen implantation from r.f. plasma into silicon substrates and the correlation between implantation process parameters and structural, as well as electro-physical properties of obtained MIS structure with HfOx layer as a gate dielectric, was investigated. The analysis of electrical characteristics of MIS structures proved that all fabricated structures after plasma implantation are characterized by lower flat band voltage (UFB) value (in absolute values) and lower effective charge (Qeff) in comparison to reference samples, however, only up to the specified power (i.e. 120W) applied to the reactive chamber. MIS structures are also characterized by a low leakage current and very significant increase in the breakdown voltage (UBR) value. Structural characterization demonstrated that both types of plasma implantation results in introduction of the high concentration of fluorine and nitrogen into silicon subsurface area.
Inne
System-identifier
WUT7870a0fac12f4bafb3e114e9cc403d78