Influence of post-deposition heat treatment on electrical transport properties of In2S3-buffered Cu(In,Ga)Se2 cells
PBN-AR
Instytucja
Wydział Fizyki (Politechnika Warszawska)
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Thin Solid Films
ISSN
0040-6090
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
1
Strony od-do
158-161
Numer tomu
535
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0.5
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 1
Słowa kluczowe
pl
CIGS, warstwa buforowa, transport prądu, In2S3, ogniwo słoneczne, stany międzypowierzchniowe, spektroskopia admitancyjna
en
CIGS; buffer; current transport; In2S3; solar cell; interface states; admittance spectroscopy
Streszczenia
Język
en
Treść
The electrical characteristics of Cu(In,Ga)Se2-based solar cells with In2S3 buffer were investigated. The effects of post-deposition annealing in helium or in air on current-voltage characteristics, net acceptor density profiles and admittance spectra were studied. Analysis of the current-voltage characteristics showed that interface recombination dominated transport in the as-deposited devices was reduced after annealing and partially replaced by bulk recombination. This was accompanied by a decrease in the saturation current and diode ideality factor. The influence of the heat treatment on the buffer/hetero-interface region as determined by capacitance measurements was minor. We conclude that a reduction in the interface states density and in the p + layer doping caused by the chemical modification of the hetero-interface region is the major source of the improvement. © 2012 Elsevier B.V. All rights reserved.
Inne
System-identifier
WUT263274
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych