64-Element Photodiode Array for Scintillation Detection of X-Rays
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
929104-929104
Numer tomu
9291
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy przekładu
(liczba autorów przekładu: 0)
Słowa kluczowe
en
silicon detectors; photodiode array; scintillation detection
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
13TH INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE ON OPTICAL SENSORS AND ELECTRONIC SENSORS
Początek konferencji
2014-06-22
Koniec konferencji
2014-06-25
Lokalizacja konferencji
Łódź
Kraj konferencji
PL
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Streszczenia
Język
en
Treść
The paper presents the design, technology and parameters of a new, silicon 64-element linear photodiode array developed at the Institute of Electron Technology (ITE) for the detection of scintillations emitted by CsI scintillators (lambda approximate to 550 nm). The arrays are used in a device for examining the content of containers at border crossings under development at the National Centre for Nuclear Research. Two arrays connected with a scintillator block (128 CsI scintillators) form a 128-channel detection module. The array consists of 64 epiplanar photodiode structures (5.1 x 7.2 mm) and a 5.3 mm module. p(+)-nu-n(+) photodiode structures are optimised for the detection of radiation of lambda approximate to 550 nm wavelength with no voltage applied (photovoltaic mode). The structures are mounted on an epoxy-glass laminate substrate, copper-clad on both sides, on which connections with a common anode and separate cathode leads are located. The photosensitive surface of photodiodes is covered with a special silicone gel, which protects photodiodes against the mechanical impact of scintillators.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
584497
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych