Passivation Studies of GaSb-Based Superlattice Structures
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
THIN SOLID FILMS
ISSN
0040-6090
EISSN
Wydawca
ELSEVIER SCIENCE SA
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
77-81
Numer tomu
567
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 3
Słowa kluczowe
en
Superlattice; InAs/GaSb; Passivation; X-ray photoelectron spectroscopy; Spectroscopic ellipsometry
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
The effect of (NH4)(2)S-based chemical treatment on type-II InAs/GaSb superlattice has been investigated. X-ray photoelectron spectroscopy and spectroscopic ellipsometry together with the fractional derivative spectrum model have been used for surface and interface characterization. It has been shown that As2S3 and In2S3 compounds are created during 21% (NH4)(2)S-based chemical treatment. Additionally, the reduction of leakage current of InAs/GaSb-based photodetectors has been observed. These results indicate that 21% (NH4)(2)S chemical treatment seems to be a promising long term stable passivation method for InAs/GaSb superlattice-based photodetectors.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
577922
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych