Properties of Al-SiO2-SiC(3C) Structures with Thermally Grown and PECVD Deposited SiO2 Layers
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Electrochemical Society Transactions
ISSN
1938-5862
EISSN
Wydawca
The Electrochemical Society
DOI
URL
Rok publikacji
2013
Numer zeszytu
4
Strony od-do
61-70
Numer tomu
58
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 1
Konferencja
Indeksowana w Scopus
tak
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
Gallium Nitride and Silicon Carbide Power Technologies 3
Początek konferencji
2013-10-27
Koniec konferencji
2013-11-01
Lokalizacja konferencji
Pennington
Kraj konferencji
US
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
The 3C-SiC silicon carbide is a promising substrate material for MOS transistors. Parameters of MOS transistors are strongly dependent on the processing of the semiconductor-dielectric system. We study and compare the crucial features of the SiC(3C)-SiO2 systems with thermally grown and PECVD deposited SiO2 layers. For both types of systems, using the Al-SiO2-SiC(3C) capacitors as test structures, we determine and compare the following properties: The leakage currents and breakdown voltages of SiO2 layers, densities and distributions in energy of interface traps, band diagrams of the SiC(3C)-SiO2 systems, as well as structural properties and mechanical stresses in both types of SiO2 layers. Characterization of the above mentioned features is done using electrical, photoelectric and optical methods, including micro-Raman spectroscopy. The characterization results lead us to the conclusion, that PECVD deposition of SiO2 followed by wet oxygen annealing is more advantageous for MOSFET fabrication than the thermal growth of the SiO2 layer.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
PX-56ea85392cdc5c33fd0cf657
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych