Characterisation of QC Lasers Structure by SIMS and Raman Spectroscopy
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Książka
Tytuł książki
ADEPT 2015. 3rd International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies
Data publikacji
2015
ISBN
Wydawca
Publikacja
Główny język publikacji
en
Tytuł rozdziału
Characterisation of QC Lasers Structure by SIMS and Raman Spectroscopy
Rok publikacji
2015
Strony (od-do)
329-332
Numer rozdziału
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
0,3
Hasło encyklopedyczne
Autorzy
(liczba autorów: 8)
Pozostali autorzy
+ 6
Słowa kluczowe
en
quantum cascade laser, SIMS, TEM, Raman spectroscopy
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
nie
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
ADEPT 2015. 3rd International Conference on Advances in Electronic and Photonic Technologies
Początek konferencji
2015-06-01
Koniec konferencji
2015-06-04
Lokalizacja konferencji
Strbske Pleso
Kraj konferencji
SK
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
This contribution reports on characterization of Quantum Cascade Lasers (QCL) structure grown by molecular beam epitaxy (MBE). Secondary ion mass spectroscopy (SIMS), TEM and Raman spectroscopy were used to investigate properties of strain compensated In.067Ga0.33As/Al0.64In0.36As/InP structure. The TEM and SIMS revealed the vertical cross section of the complete QCL structure on InP substrate. The SIMS profile visualizes the Al, In, Ga and As incorporation into the neighboring InGaAs, AlInAs and In.067Ga0.33As/Al0.64In0.36As active layers during the growth process. The measurements of Raman spectra across the cleaved edge of the structure revealed changes in Raman spectra due to material composition and strain.
Cechy publikacji
CHAPTER_IN_A_BOOK
Inne
System-identifier
PX-56fb9e1b2cdc5c33fd0cffdc