Study of the Spatial Distribution of Minority Carrier Diffusion Length in Epiplanar Detector Structures
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
OPTO-ELECTRONICS REVIEW
ISSN
1230-3402
EISSN
1896-3757
Wydawca
VERSITA
DOI
URL
Rok publikacji
2015
Numer zeszytu
4
Strony od-do
14-19
Numer tomu
23
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy
Pozostali autorzy
+ 2
Słowa kluczowe
en
effective minority diffusion length; surface recombination velocity; epiplanar detector; p-n structures; INTRINSIC POINT-DEFECTS; CRYSTAL-GROWTH; SILICON
Open access
Tryb otwartego dostępu
Inne
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
One of the key parameters determining detection properties of silicon PIN detector structures (p(+)-nu-n(+) or n(+)-nu-p(+)) is minority carrier diffusion length in p-n junction regions p-n (p(+)-nu or n(+)-nu). The parameter concerned strongly depends on quality of the starting material and technological processes conducted and has a significant impact on detector parameters, in particular dark current intensity. Thus, the parameter must be determined in order to optimise the design and technology of detectors. The paper presents a method for measuring the spatial distribution of effective carrier diffusion length in silicon detector structures, based on the measurement of photoelectric current of a non-polarised structure illuminated (spot diameter of 250 mu m) with monochromatic radiation of two wavelengths lambda(1) = 500 nm (silicon penetration depth of around 0.9 mu m) and lambda(2) = 900 nm (silicon penetration depth of around 33 mu m). The value of diffusion length was determined by analysing the spatial distribution of optical carrier generation and values of photoelectric currents.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
654303
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych