Surface passivation of (100) GaSb using self-assembled monolayers of long-chain octadecanethiol
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
AIP Advances
ISSN
2158-3226
EISSN
Wydawca
AIP Publisher
DOI
URL
Rok publikacji
2016
Numer zeszytu
Strony od-do
055206
Numer tomu
6
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Streszczenia
Język
en
Treść
The passivation of (100) GaSb surface was investigated by means of the long-chain octadecanethiol (ODT) self-assembled monolayer (SAM). The properties of ODT SAM on (100) GaSb were characterized by the atomic force microscopy using Kelvin probe force microscopy mode and X-ray photoelectron spectroscopy. The chemical treatment of 10mM ODT-C2H5OH has been applied to the passivation of a type-II superlattice InAs/GaSb photodetector. The electrical measurements indicate that the current density was reduced by one order of magnitude as compared to an unpassivated photodetector.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
PX-575e815fc2dcc24b2e1ab23d
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych