32-Element Beta Detector Developed at the Institute of Electron Technology (ITE)
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
PROCEEDINGS OF SPIE
ISSN
0277-786X
EISSN
Wydawca
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
Strony od-do
929104-929104
Numer tomu
9291
Link do pełnego tekstu
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Autorzy przekładu
(liczba autorów przekładu: 0)
Słowa kluczowe
en
silicon detector; detector array; beta radiation detection
Konferencja
Indeksowana w Scopus
nie
Indeksowana w Web of Science Core Collection
tak
Liczba cytowań z Web of Science Core Collection
Nazwa konferencji (skrócona)
Nazwa konferencji
13TH INTERNATIONAL SCIENTIFIC CONFERENCE ON OPTICAL SENSORS AND ELECTRONIC SENSORS
Początek konferencji
2014-06-22
Koniec konferencji
2014-06-25
Lokalizacja konferencji
Łódź
Kraj konferencji
PL
Lista innych baz czasopism i abstraktów w których była indeksowana
Streszczenia
Język
en
Treść
The paper presents the design, technology and parameters of a new .silicon detector for detection of electrons (below named as beta detector) developed at the Institute of Electron Technology (ITE). The detector will be used for research on transactinide elements at the GSI Helmholtzzentrum für Schwerionenforschung GmbH, Darmstadt (GSI). The detector consists of a monolithic 32-element array with an active area diameter of 90 mm and a thickness of 0.9 mm. The starting material is a high-resistivity ν silicon wafer (5 kΩcm resistivity). 32 planar p+-ν junctions are formed by boron diffusion on the top side of the wafer. On the bottom side, an n+ region, which forms a common cathode, is formed on the entire surface by phosphorus diffusion. The array is mounted on a special epoxy-glass laminate substrate, copper-clad on both sides. Two model detectors have been fabricated and studied. Very good electrical parameters have been achieved. For the first array, with supply voltage VR = 20 V, the minimum dark current was 8 nA, the maximum dark current 97.1 nA, and the average dark current 25.1 nA. For the second array, it was 11.5 nA, 378.8 nA and 40.0 nA respectively.
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
584545
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych