Switchable double wavelength generating vertical external cavity surface-emitting laser
PBN-AR
Instytucja
Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Elektronowej
Informacje podstawowe
Główny język publikacji
en
Czasopismo
Optics Express
ISSN
1094-4087
EISSN
Wydawca
OPTICAL SOC AMER
DOI
URL
Rok publikacji
2014
Numer zeszytu
6
Strony od-do
6447-6452
Numer tomu
22
Identyfikator DOI
Liczba arkuszy
Słowa kluczowe
en
SEMICONDUCTOR-LASERS; HIGH-POWER
Open access
Tryb otwartego dostępu
Otwarte czasopismo
Wersja tekstu w otwartym dostępie
Licencja otwartego dostępu
Czas opublikowania w otwartym dostępie
Data udostępnienia w sposób otwarty
Streszczenia
Język
en
Treść
Switchable, double wavelength generation is demonstrated from a single vertical external cavity surface-emitting laser chip. Power of similar to 0.5W for two wavelengths lambda approximate to 967nm and 1018nm i.e. within the spectral distance of 51nm were registered. In the semiconductor heterostructure a single set of nominally identical quantum wells was enclosed in a single, two-mode resonant microcavity. The wavelength switching was induced by the change of the pump power. The increase or decrease of the pump power changes the active region temperature and thus tunes spectrally the gain spectrum to the one of two modes. (C)2014 Optical Society of America
Cechy publikacji
ORIGINAL_ARTICLE
Inne
System-identifier
553108
CrossrefMetadata from Crossref logo
Cytowania
Liczba prac cytujących tę pracę
Brak danych
Referencje
Liczba prac cytowanych przez tę pracę
Brak danych